TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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78 357En existencias
27 000Se espera el 10/9/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-75-6 P-Channel 1 Channel 20 V 9 A 29 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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103 656En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 7.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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34 074En existencias
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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110 643En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 47 mOhms, 47 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 23 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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49 512En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
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24 392En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.8A
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179 777En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
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318 091En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.5 A 27 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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36 123En existencias
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Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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114 674En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 9 A 28 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 30 nC - 50 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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33 742En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V
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55 442En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 19 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
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16 535En existencias
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Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 50 A 3.5 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 300 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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51 225En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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8 741En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET
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8 749En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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7 494En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 40 A 3 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 225 nC - 50 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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13 156En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 92 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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17 086En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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2 520En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A
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7 835En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
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7 810En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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5 539En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
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9 116En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 23 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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10 058En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56.7 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34.5 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape