TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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497En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6
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5 205En existencias
6 000Se espera el 18/9/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs SC70-6
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4 354En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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3 755En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 12 V 10.2 A 15 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 93 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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2 443En existencias
9 000Se espera el 19/10/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 44 mOhms, 44 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 40A 100W
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502En existencias
4 000Se espera el 12/10/2026
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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684En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SC70-6
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7 613En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.1A
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784En existencias
63 000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A
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985En existencias
102 000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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2 423En existencias
15 000En pedido
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 38.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 38 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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667En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.1 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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2 064En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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7 370En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 61 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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133En existencias
3 000Se espera el 2/9/2027
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Si SMD/SMT PowerPAK-SC70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 15.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
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2 674En existencias
18 000En pedido
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 44 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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218En existencias
54 000En pedido
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 11.7 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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20En existencias
33 000En pedido
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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359En existencias
18 000En pedido
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 92 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220
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364En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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519En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
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98 993En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 7.7 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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138 135En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23
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151 765En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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109 195En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 10.8 A 132 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel