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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 245En existencias
Cinta cortada
₡4 850,74
₡2 669,99
₡2 461,80
₡2 409,75
Envase tipo carrete
₡2 326,48
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
365En existencias
₡4 725,83
₡3 325,77
₡2 690,81
₡2 388,94
₡2 118,29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
713En existencias
₡6 344,47
₡4 590,50
₡3 825,42
₡3 403,84
₡3 221,68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
Hoja de datos
6 299En existencias
Cinta cortada
₡1 852,86
₡931,63
₡817,13
₡681,81
₡666,20
Envase tipo carrete
₡634,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
168En existencias
₡6 360,09
₡4 600,91
₡3 835,83
₡3 414,25
₡3 232,09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
243En existencias
₡4 746,64
₡3 341,39
₡2 706,42
₡2 399,35
₡2 149,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
6 970En existencias
Cinta cortada
₡6 563,07
₡3 773,37
₡3 679,69
₡3 559,98
Envase tipo carrete
₡3 273,73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
871En existencias
Cinta cortada
₡3 695,30
₡1 972,56
₡1 806,01
₡1 707,13
Envase tipo carrete
₡1 592,62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 993En existencias
Cinta cortada
₡2 154,73
₡1 098,18
₡994,09
₡827,54
Envase tipo carrete
₡775,49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
Hoja de datos
1 302En existencias
Cinta cortada
₡1 779,99
₡1 155,43
₡796,31
₡660,99
₡614,15
Envase tipo carrete
₡577,72
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
Hoja de datos
678En existencias
₡4 205,36
₡2 815,72
₡2 264,02
₡2 003,79
₡1 779,99
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
211En existencias
₡2 550,28
₡1 670,69
₡1 249,12
₡1 040,93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
491En existencias
₡12 938,77
₡9 665,04
₡8 358,67
₡7 911,07
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
404En existencias
₡6 531,84
₡4 866,35
₡4 059,63
₡3 612,03
₡3 419,46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
59En existencias
₡2 888,58
₡1 509,35
₡1 374,03
₡1 160,64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
815En existencias
₡1 930,93
₡1 061,75
₡962,86
₡780,70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 076En existencias
Cinta cortada
₡1 852,86
₡1 207,48
₡848,36
₡707,83
₡676,61
Envase tipo carrete
₡614,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
59En existencias
500Se espera el 16/2/2027
₡3 710,92
₡2 482,62
₡2 035,02
₡1 722,74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
158En existencias
₡5 074,54
₡3 466,30
₡2 857,36
₡2 545,08
₡2 409,75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
Hoja de datos
71En existencias
₡12 491,17
₡9 998,14
₡8 644,93
₡8 186,92
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4
Hoja de datos
380En pedido
₡7 270,90
₡5 537,75
₡4 616,53
₡3 893,08
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
₡718,24
₡666,20
₡629,76
Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Envase tipo carrete
₡2 269,23
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Envase tipo carrete
₡1 556,19
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Envase tipo carrete
₡1 217,89
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel