Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V
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Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R125CFD7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
1EDC20H12AHXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60I12AHXUMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDD08SG60CXTMA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
4 541 En existencias
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1 274 En existencias
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250
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
1EDC60I12AHXUMA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDC60I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
813 En existencias
1
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5 000
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1 000
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDD06SG60CXTMA2
Infineon Technologies
1:
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1 798 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IDD06SG60CXTMA2
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
1 798 En existencias
1
₡2 342,09
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100
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5 000
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2 500
Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 600,21
432 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
432 En existencias
1
₡5 600,21
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480
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Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 133,20
437 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS
Fin de vida útil
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
437 En existencias
1
₡3 133,20
10
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480
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 431,28
4 532 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4 532 En existencias
1
₡1 431,28
10
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100
₡634,97
500
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9 000
Ver
1 000
₡517,86
9 000
₡490,28
24 000
Presupuesto
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
Infineon Technologies 6ED003L02-F2
6ED003L02-F2
Infineon Technologies
1:
₡1 400,05
2 360 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-6ED003L02-F2
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
2 360 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 400,05
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Ver
250
₡801,52
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1 000
₡770,29
6 000
₡702,63
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Controladores de puertas HVGD_TRACT
1EBN1001AEXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 800,81
843 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EBN1001AEXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas HVGD_TRACT
843 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 800,81
10
₡1 353,21
25
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100
₡1 119,00
2 500
₡957,66
5 000
Ver
250
₡1 061,75
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₡1 020,11
5 000
₡942,04
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡843,15
2 042 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2 042 En existencias
1
₡843,15
10
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Ver
1 000
₡252,95
6 000
₡211,83
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 046,14
1 669 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 669 En existencias
1
₡1 046,14
10
₡501,73
100
₡448,64
500
₡367,97
1 000
Ver
1 000
₡287,30
5 000
₡272,20
10 000
₡255,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 928,81
220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
220 En existencias
1
₡4 928,81
10
₡2 982,27
100
₡2 519,05
480
₡2 451,39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles