Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1 149 En existencias
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Controladores de puertas 25V 1-CH low-side,2A OCP, Enable & FAULT
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 25V 1-CH low-side,2A OCP, Enable & FAULT
13 883 En existencias
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
2ED020I12F2XUMA1
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A OCP, Enable & FAULT
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK10G120C5XTMA1
Infineon Technologies
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDM10G120C5XTMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
+1 imagen
IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1:
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700 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
700 En existencias
1
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDWD20G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IDWD20G120C5XKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
473 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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3 003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 003 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
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824 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
824 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 305,66
1 873 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 873 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 920,52
1 254 En existencias
1 000 Se espera el 5/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 254 En existencias
1 000 Se espera el 5/11/2026
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Mult.: 1
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