Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 675,19
824 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
824 En existencias
1
₡2 675,19
10
₡1 389,64
100
₡1 264,73
500
₡1 040,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 305,66
1 873 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 873 En existencias
1
₡2 305,66
10
₡1 181,46
100
₡1 072,16
500
₡874,38
2 500
₡853,56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 920,52
1 254 En existencias
1 000 Se espera el 3/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 254 En existencias
1 000 Se espera el 3/12/2026
1
₡1 920,52
10
₡968,07
100
₡874,38
500
₡707,83
1 000
Ver
1 000
₡702,63
2 500
₡676,61
5 000
₡666,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 002,38
728 En existencias
4 000 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
728 En existencias
4 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡4 002,38
10
₡2 649,17
100
₡2 206,77
500
₡2 009,00
1 000
₡1 863,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 419,46
1 255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 255 En existencias
1
₡3 419,46
10
₡1 936,13
100
₡1 759,17
500
₡1 556,19
1 000
₡1 467,71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 831,33
1 202 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 202 En existencias
1
₡2 831,33
10
₡1 467,71
100
₡1 332,39
500
₡1 103,39
1 000
₡1 040,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 305,66
5 255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5 255 En existencias
1
₡2 305,66
10
₡1 181,46
100
₡1 072,16
500
₡905,61
1 000
₡853,56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1:
₡5 084,95
495 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
495 En existencias
1
₡5 084,95
10
₡2 794,90
100
₡2 602,33
1 000
₡2 461,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 097,48
3 166 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 166 En existencias
1
₡2 097,48
10
₡1 066,95
100
₡968,07
500
₡796,31
2 500
₡749,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 498,94
2 294 En existencias
12 500 Se espera el 29/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2 294 En existencias
12 500 Se espera el 29/10/2026
1
₡1 498,94
10
₡744,27
100
₡671,40
500
₡541,28
1 000
₡505,37
2 500
₡477,79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 145,02
9 846 En existencias
7 500 Se espera el 22/7/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
9 846 En existencias
7 500 Se espera el 22/7/2027
1
₡1 145,02
10
₡556,90
100
₡496,00
500
₡394,51
1 000
₡379,42
2 500
₡329,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡942,04
3 200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 200 En existencias
1
₡942,04
10
₡448,12
100
₡400,24
500
₡315,40
2 500
₡258,15
5 000
Ver
1 000
₡293,02
5 000
₡250,86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡645,38
7 504 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7 504 En existencias
1
₡645,38
10
₡300,83
100
₡267,00
500
₡207,15
2 500
₡162,39
5 000
Ver
1 000
₡201,42
5 000
₡148,85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡546,49
17 919 En existencias
15 000 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
17 919 En existencias
15 000 Se espera el 3/9/2026
1
₡546,49
10
₡251,38
100
₡222,24
500
₡171,23
2 500
₡135,84
5 000
Ver
1 000
₡158,74
5 000
₡119,71
10 000
₡117,63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡582,92
3 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 En existencias
1
₡582,92
10
₡270,12
100
₡239,41
500
₡184,77
2 500
₡147,81
5 000
Ver
1 000
₡179,04
5 000
₡137,40
10 000
₡133,24
25 000
₡130,12
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 910,11
8 939 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8 939 En existencias
1
₡1 910,11
10
₡1 066,95
100
₡968,07
500
₡801,52
1 000
₡796,31
2 500
₡749,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 046,14
7 490 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7 490 En existencias
1
₡1 046,14
10
₡671,40
100
₡449,16
500
₡356,00
1 000
₡325,81
2 500
₡290,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 009,70
12 652 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
12 652 En existencias
1
₡1 009,70
10
₡481,95
100
₡423,14
500
₡335,70
2 500
₡272,20
5 000
Ver
1 000
₡307,07
5 000
₡256,07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 446,89
3 049 En existencias
2 500 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3 049 En existencias
2 500 Se espera el 17/9/2026
1
₡1 446,89
10
₡822,34
100
₡634,97
500
₡536,08
2 500
₡437,71
5 000
Ver
1 000
₡474,66
5 000
₡431,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 898,29
1 174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 174 En existencias
1
₡3 898,29
10
₡2 211,98
100
₡2 029,82
500
₡1 956,95
1 000
₡1 847,65
1 700
₡1 847,65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 700
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 789,69
1 256 En existencias
6 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 256 En existencias
6 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
1 256 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3 000 Se espera el 26/8/2026
3 000 Se espera el 7/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
₡2 789,69
10
₡1 701,92
100
₡1 374,03
500
₡1 197,07
1 000
₡1 171,05
3 000
₡1 092,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 154,73
7 612 En existencias
3 000 Se espera el 10/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7 612 En existencias
3 000 Se espera el 10/12/2026
1
₡2 154,73
10
₡1 160,64
100
₡1 051,34
500
₡890,00
1 000
₡874,38
3 000
₡837,95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 712,33
3 692 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 692 En existencias
1
₡1 712,33
10
₡853,56
100
₡770,29
500
₡624,56
1 000
₡614,15
3 000
₡567,31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 613,44
3 752 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 752 En existencias
1
₡1 613,44
10
₡801,52
100
₡723,45
500
₡582,92
1 000
₡572,51
3 000
₡525,67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡634,97
8 862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
8 862 En existencias
1
₡634,97
10
₡295,62
100
₡262,31
500
₡203,50
3 000
₡166,03
6 000
Ver
1 000
₡199,86
6 000
₡163,43
9 000
₡145,73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles