Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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10
₡466,86
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₡309,16
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10
₡315,92
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₡280,53
500
₡218,08
3 000
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₡313,84
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₡278,45
500
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3 000
₡187,37
6 000
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₡211,31
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₡174,36
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₡634,97
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₡425,22
500
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10
₡4 507,23
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₡1 956,95
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₡2 774,08
100
₡2 571,10
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₡2 430,57
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₡3 502,73
10
₡2 295,25
100
₡1 691,51
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₡1 504,15
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₡1 332,39
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₡3 908,70
10
₡2 467,01
100
₡1 925,72
500
₡1 837,24
1 000
₡1 566,60
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₡3 148,82
10
₡1 655,08
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₡1 514,55
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₡1 379,23
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₡4 366,70
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₡4 465,59
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1
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₡2 977,06
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₡2 862,56
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1
₡4 023,20
10
₡2 180,75
100
₡2 003,79
480
₡1 868,47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1
₡3 674,49
10
₡1 915,31
100
₡1 759,17
480
₡1 597,83
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1
₡3 658,87
10
₡1 956,95
100
₡1 727,95
480
₡1 530,17
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IPW60R099P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
648 En existencias
1
₡2 935,42
10
₡1 561,40
100
₡1 426,08
480
₡1 316,78
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₡1 243,91
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R037P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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₡6 417,34
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₡3 539,16
100
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12B2XUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
572 En existencias
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1
₡2 742,85
10
₡2 092,27
25
₡1 925,72
100
₡1 748,76
1 000
₡1 582,21
2 000
Ver
250
₡1 660,28
500
₡1 608,24
2 000
₡1 545,78
5 000
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
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NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
219 En existencias
1
₡1 701,92
10
₡1 280,34
25
₡1 171,05
100
₡1 056,54
1 000
₡931,63
2 000
Ver
250
₡999,29
500
₡983,68
2 000
₡895,20
5 000
₡874,38
Comprar
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Mult.: 1
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1 000
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
1EDC30I12MHXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
276 En existencias
1
₡1 623,85
10
₡1 238,71
25
₡1 145,02
100
₡1 035,73
1 000
₡921,22
2 000
Ver
250
₡988,88
500
₡968,07
2 000
₡884,79
5 000
₡879,59
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Mult.: 1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
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NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
318 En existencias
1
₡1 675,90
10
₡1 254,32
25
₡1 150,23
100
₡1 035,73
1 000
₡910,81
2 000
Ver
250
₡983,68
500
₡968,07
2 000
₡874,38
5 000
₡858,77
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Mult.: 1
Carrete :
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
1EDC60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
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₡1 790,40
154 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
154 En existencias
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10
₡1 348,01
25
₡1 233,50
100
₡1 113,80
1 000
₡983,68
2 000
Ver
250
₡1 056,54
500
₡1 040,93
2 000
₡947,25
5 000
₡926,43
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