Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
2ED020I12-FI
Infineon Technologies
1:
₡2 326,48
96 En existencias
4 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
641-2ED020I12-FI
Infineon Technologies
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
96 En existencias
4 000 En pedido
1
₡2 326,48
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
1ED3125MU12FXUMA1
Infineon Technologies
1:
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142 En existencias
2 500 Se espera el 4/2/2027
N.º de artículo de Mouser
726-1ED3125MU12FXUMA
Infineon Technologies
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
142 En existencias
2 500 Se espera el 4/2/2027
1
₡1 197,07
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60I12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
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107 En existencias
2 500 Se espera el 16/6/2027
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60I12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
107 En existencias
2 500 Se espera el 16/6/2027
Embalaje alternativo
1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60N12AF
Infineon Technologies
1:
₡1 337,60
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N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60N12AF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
4 493 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
1:
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3 359 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
3 359 En existencias
4 000 En pedido
1
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2 000
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4 000
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Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡692,22
1 593 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
1 593 En existencias
Embalaje alternativo
1
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10
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2 500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 311,57
30 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
30 En existencias
10 000 En pedido
Embalaje alternativo
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2 500
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDH05G120C5XKSA1
Infineon Technologies
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₡2 029,82
45 En existencias
500 Se espera el 3/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDH05G120C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
45 En existencias
500 Se espera el 3/9/2026
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₡2 029,82
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 144,32
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N.º de artículo de Mouser
726-IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
950 En existencias
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH08G65C5XKSA2
Infineon Technologies
1:
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7 En existencias
500 Se espera el 14/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDH08G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
7 En existencias
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1 000
₡843,15
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK02G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
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149 En existencias
1 000 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDK02G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
149 En existencias
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1 000
₡510,58
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Mult.: 1
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1 000
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK20G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 502,03
37 En existencias
16 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDK20G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
37 En existencias
16 000 En pedido
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37 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000 Se espera el 14/9/2026
4 000 Se espera el 17/9/2026
4 000 Se espera el 14/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡4 502,03
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100
₡2 420,16
500
₡2 238,00
1 000
₡2 050,63
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Min.: 1
Mult.: 1
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1 000
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDM05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 837,24
125 En existencias
5 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDM05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
125 En existencias
5 000 En pedido
1
₡1 837,24
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100
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500
₡692,22
1 000
₡640,17
2 500
₡598,54
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDW10G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 284,14
56 En existencias
480 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDW10G120C5BFKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
56 En existencias
480 En pedido
Ver fechas
Existencias:
56 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
240 Se espera el 27/8/2026
240 Se espera el 10/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡3 284,14
10
₡1 988,18
100
₡1 577,01
480
₡1 400,05
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
+1 imagen
IDW12G65C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 346,59
160 En existencias
480 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDW12G65C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
160 En existencias
480 Se espera el 15/10/2026
1
₡3 346,59
10
₡2 133,91
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480
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDW15G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 064,83
16 En existencias
240 Se espera el 8/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDW15G120C5BFKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
16 En existencias
240 Se espera el 8/10/2026
1
₡4 064,83
10
₡2 430,57
100
₡2 133,91
480
₡1 806,01
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
+1 imagen
IDW20G65C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 559,28
127 En existencias
480 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDW20G65C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
127 En existencias
480 Se espera el 17/9/2026
1
₡4 559,28
10
₡2 846,95
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₡2 576,30
480
₡2 045,43
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
+1 imagen
IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡7 812,19
18 En existencias
480 Se espera el 22/7/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
18 En existencias
480 Se espera el 22/7/2027
1
₡7 812,19
10
₡5 064,13
100
₡4 439,57
480
₡4 215,77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDWD10G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 810,51
63 En existencias
6 240 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD10G120C5XKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
63 En existencias
6 240 En pedido
Ver fechas
Existencias:
63 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 920 Se espera el 20/8/2026
1 920 Se espera el 10/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡2 810,51
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480
₡1 264,73
1 200
₡1 197,07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDWD30G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡7 676,86
24 En existencias
1 680 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDWD30G120C5XKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
24 En existencias
1 680 En pedido
1
₡7 676,86
10
₡4 403,14
100
₡3 804,60
480
₡3 539,16
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 306,37
759 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
759 En existencias
1
₡1 306,37
10
₡640,17
100
₡536,08
500
₡435,11
1 000
₡393,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 795,61
741 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
741 En existencias
1
₡1 795,61
10
₡916,02
100
₡806,72
500
₡655,79
1 000
Ver
1 000
₡598,54
2 500
₡582,92
5 000
₡577,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 452,10
180 En existencias
500 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
180 En existencias
500 Se espera el 15/10/2026
1
₡1 452,10
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₡718,24
100
₡645,38
500
₡504,33
1 000
Ver
1 000
₡481,95
2 500
₡465,30
5 000
₡455,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 098,18
474 En existencias
1 000 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
474 En existencias
1 000 Se espera el 17/9/2026
1
₡1 098,18
10
₡577,72
100
₡452,28
500
₡337,78
1 000
Ver
1 000
₡304,99
2 500
₡284,17
5 000
₡280,01
10 000
₡273,24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 243,91
645 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
645 En existencias
1
₡1 243,91
10
₡603,74
100
₡541,28
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₡440,31
1 000
Ver
1 000
₡380,46
2 500
₡370,05
5 000
₡367,97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles