MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación

Los MOSFET de carburo de silicio de 3ra generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA-CC de entrada de 400 V AC. Otras aplicaciones incluyen inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC-CC bidireccionales para fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Estos MOSFET contribuyen a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de energía. Esto se debe a la tecnología SiC que permite que los dispositivos ofrezcan voltajes más altos, conmutación más rápida y menor resistencia en conducción. El diseño de chips de tercera generación de Toshiba ofrece confiabilidad mejorada, además de la capacitancia de entrada (CISS) de 4850 pF (típico), una baja carga de entrada de puerta (Qg) de 128 NC (típico) y una resistencia en conducción drenaje a fuente (RDS(On)) de solo 15 mΩ o 30 mΩ (típico).

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2 480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2 493En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Hoja de datos
2 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Hoja de datos
23En existencias
30Se espera el 17/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Hoja de datos
20En existencias
60Se espera el 16/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Hoja de datos
52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Hoja de datos
61En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Hoja de datos
199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Hoja de datos
43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Hoja de datos
67En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Hoja de datos
111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Hoja de datos
150Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement