LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel
Hoja de datos
2 989En existencias
Cinta cortada
₡973,27
₡603,74
₡395,03
₡310,20
Envase tipo carrete
₡240,46
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
Hoja de datos
2 947En existencias
Cinta cortada
₡1 025,32
₡645,38
₡422,62
₡335,70
Envase tipo carrete
₡271,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
Hoja de datos
2 002En existencias
Cinta cortada
₡968,07
₡598,54
₡395,03
₡310,20
Envase tipo carrete
₡240,46
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
Hoja de datos
2 744En existencias
Cinta cortada
₡926,43
₡572,51
₡378,38
₡297,19
Envase tipo carrete
₡230,05
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
144En existencias
6 000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
₡1 165,84
₡733,86
₡482,99
₡383,06
₡340,38
Envase tipo carrete
₡311,24
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel
Hoja de datos
13 565En pedido
Cinta cortada
₡983,68
₡608,94
₡401,28
₡315,40
₡269,60
Envase tipo carrete
₡244,10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
Hoja de datos
8 323En pedido
Cinta cortada
₡1 072,16
₡660,99
₡435,63
₡342,47
₡292,50
Envase tipo carrete
₡264,92
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel
Hoja de datos
15 000Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
₡905,61
₡567,31
₡375,26
₡297,71
₡264,40
Envase tipo carrete
₡241,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
Hoja de datos
3 000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
₡1 420,87
₡910,81
₡619,35
₡525,67
₡464,78
Envase tipo carrete
₡416,89
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
₡1 056,54
₡650,58
₡429,90
₡337,78
₡288,86
Envase tipo carrete
₡261,79
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel