X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode. These MOSFETs feature low RDS(ON), low gate charge (QG), and high-power density. IXYS X3-Class 200V-300V Power MOSFETs with HiPerFET remove leftover energies during high-speed switching to avoid device failure. Typical applications include DC-to-DC converters, power supplies, robotics, servo controls, and battery chargers for light electric vehicles.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 82
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
5 435En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1 768Se espera el 15/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
191Se espera el 9/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
350Se espera el 25/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
293Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
Hoja de datos
1 850Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 44A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Hoja de datos
Plazo de entrega 34 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega 34 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3