Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 847,65
1 194 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1 194 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 847,65
10
₡1 202,28
100
₡843,15
500
₡733,86
1 000
₡619,35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 145,02
477 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
477 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 145,02
10
₡728,65
100
₡488,72
500
₡404,92
1 000
₡344,03
2 000
Ver
2 000
₡331,02
5 000
₡316,44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
₡3 138,41
67 En existencias
3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
67 En existencias
3 000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
67 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
500 Se espera el 5/11/2026
2 500 Se espera el 11/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
₡3 138,41
10
₡2 055,84
100
₡1 535,37
500
₡1 280,34
1 000
₡1 124,21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 451,39
718 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
718 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 451,39
10
₡1 603,03
100
₡1 197,07
500
₡999,29
1 000
Ver
1 000
₡926,43
2 500
₡879,59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 910,11
637 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
637 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 910,11
10
₡1 243,91
100
₡874,38
500
₡728,65
1 000
Ver
1 000
₡671,40
2 500
₡634,97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC1000
KITXMC13BOOT001TOBO1
Infineon Technologies
1:
₡22 593,40
1 En existencias
27 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-KITXMC13BOOT001
Infineon Technologies
Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC1000
1 En existencias
27 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4400F100K512BAXQMA1
Infineon Technologies
1:
₡7 505,11
6 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-MC4400F100K512BA
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
6 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡7 505,11
10
₡5 792,78
25
₡5 110,97
100
₡4 725,83
250
₡4 678,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
1:
₡1 816,42
809 En existencias
800 Se espera el 2/9/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
809 En existencias
800 Se espera el 2/9/2026
1
₡1 816,42
10
₡910,81
100
₡822,34
500
₡634,97
800
₡619,35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
₡2 805,31
643 En existencias
800 Se espera el 17/9/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
643 En existencias
800 Se espera el 17/9/2026
1
₡2 805,31
10
₡1 837,24
100
₡1 374,03
500
₡1 150,23
800
₡1 004,50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1:
₡2 102,68
544 En existencias
3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
544 En existencias
3 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
544 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000 Se espera el 29/4/2027
2 000 Se espera el 13/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
1
₡2 102,68
10
₡1 264,73
100
₡936,84
1 000
₡718,24
2 000
₡697,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1:
₡759,88
1 334 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7546PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
1 334 En existencias
1
₡759,88
10
₡357,56
100
₡318,52
500
₡249,30
1 000
Ver
1 000
₡226,92
2 000
₡223,80
5 000
₡215,47
10 000
₡212,35
25 000
₡201,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12-B2
Infineon Technologies
1:
₡2 742,85
5 En existencias
7 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
641-1ED020I12-B2
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
5 En existencias
7 000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000 Se espera el 14/9/2026
6 000 Se espera el 14/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡2 742,85
10
₡2 092,27
25
₡1 925,72
100
₡1 759,17
1 000
₡1 488,53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 493,74
300 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
300 En existencias
1
₡1 493,74
10
₡1 113,80
25
₡1 020,11
100
₡916,02
1 000
₡801,52
2 000
Ver
250
₡884,79
500
₡848,36
2 000
₡770,29
5 000
₡754,67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7523FXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡484,03
2 569 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-2EDN7523FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2 569 En existencias
1
₡484,03
10
₡346,63
25
₡312,80
100
₡274,81
2 500
₡227,44
5 000
Ver
250
₡257,11
500
₡246,18
1 000
₡238,37
5 000
₡221,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡515,26
13 En existencias
11 500 Se espera el 14/9/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-2EDN7524FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
13 En existencias
11 500 Se espera el 14/9/2026
1
₡515,26
10
₡359,12
25
₡314,36
100
₡277,41
250
Ver
2 500
₡227,96
250
₡258,67
500
₡247,74
1 000
₡240,46
2 500
₡227,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A OCP, Enable, & FAULT
6ED003L06F2XUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 301,16
835 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-6ED003L06F2XUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A OCP, Enable, & FAULT
835 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 301,16
10
₡968,07
25
₡884,79
100
₡791,11
1 000
₡692,22
2 000
Ver
250
₡749,47
500
₡723,45
2 000
₡660,99
5 000
₡645,38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1:
₡1 040,93
339 En existencias
20 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
339 En existencias
20 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
339 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15 000 Se espera el 7/1/2027
5 000 Se espera el 16/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡1 040,93
10
₡490,80
100
₡435,63
500
₡317,48
1 000
Ver
5 000
₡222,76
1 000
₡292,50
2 500
₡286,26
5 000
₡222,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 649,88
4 158 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4 158 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 649,88
10
₡1 066,95
100
₡733,86
500
₡614,15
1 000
Ver
5 000
₡536,08
1 000
₡567,31
2 500
₡536,08
5 000
₡536,08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1:
₡530,87
5 272 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
5 272 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡530,87
10
₡377,86
100
₡235,25
500
₡162,39
5 000
₡104,09
10 000
Ver
1 000
₡136,36
2 500
₡122,31
10 000
₡97,33
25 000
₡88,48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡229,00
881 En existencias
40 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6433XTMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
881 En existencias
40 000 En pedido
1
₡229,00
10
₡97,85
100
₡85,36
500
₡63,50
1 000
Ver
10 000
₡32,79
1 000
₡56,73
2 500
₡50,49
5 000
₡42,16
10 000
₡32,79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1:
₡770,29
24 En existencias
5 000 Se espera el 29/4/2027
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
24 En existencias
5 000 Se espera el 29/4/2027
1
₡770,29
10
₡485,59
100
₡322,17
500
₡251,91
1 000
₡209,75
5 000
₡188,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1:
₡785,90
730 En existencias
5 000 Se espera el 6/5/2027
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
730 En existencias
5 000 Se espera el 6/5/2027
1
₡785,90
10
₡435,63
100
₡321,65
500
₡264,92
1 000
₡235,77
5 000
₡174,36
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Conversores CA/DC COOLSET
ICE3BR1765JXKLA1
Infineon Technologies
1:
₡1 150,23
850 En existencias
2 000 Se espera el 1/10/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-ICE3BR1765JXKLA1
NRND
Infineon Technologies
Conversores CA/DC COOLSET
850 En existencias
2 000 Se espera el 1/10/2026
1
₡1 150,23
10
₡853,56
25
₡765,08
100
₡723,45
250
Ver
250
₡687,01
500
₡660,99
1 000
₡640,17
2 000
₡614,15
4 000
₡598,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1:
₡2 019,41
250 En existencias
1 600 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
250 En existencias
1 600 En pedido
Ver fechas
Existencias:
250 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
800 Se espera el 14/9/2026
800 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
1
₡2 019,41
10
₡1 072,16
100
₡916,02
500
₡707,83
800
₡702,63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1:
₡1 649,88
97 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
97 En existencias
1
₡1 649,88
10
₡869,18
100
₡739,06
500
₡562,10
800
₡536,08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles