Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
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1: ₡1 139,82
102En existencias
30 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

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Cinta cortada

₡1 139,82

₡645,38

₡489,76

₡389,31

Envase tipo carrete

₡312,28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 590

: 1 500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: ₡1 847,65
27 736En existencias
16 500Se espera el 14/7/2027

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NTMFS2D1N08XT1G

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Cinta cortada

₡1 847,65

₡1 092,98

₡843,15

₡697,42

₡619,35

Envase tipo carrete

₡619,35

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
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28 583En pedido

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Cinta cortada

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₡2 925,02

₡2 159,93

₡2 092,27

Envase tipo carrete

₡1 972,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
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28 438En pedido

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NTMFS3D0N08XT1G

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863-NTMFS3D0N08XT1G

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₡994,09

₡687,01

₡556,90

₡515,26

Envase tipo carrete

₡496,52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 650

: 1 500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
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1: ₡2 180,75
18 615En pedido

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NTMFWS1D5N08XT1G

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863-NTMFWS1D5N08XT1G

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₡1 426,08

₡1 025,32

₡879,59

₡785,90

Envase tipo carrete

₡785,90

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500

: 1 500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
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12 003En pedido

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NTMFS2D5N08XT1G

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863-NTMFS2D5N08XT1G

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₡817,13

₡718,24

₡598,54

₡536,08

Envase tipo carrete

₡536,08

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
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5 897En pedido

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NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

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Cinta cortada

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₡806,72

₡551,69

₡438,23

₡374,74

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135 A

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