Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 24

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies 1: ₡8 556,45 244En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPW55N80C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW55N80C3FKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	244En existencias	₡8 556,45 ₡4 861,15 ₡4 835,12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	54.9 A	77 mOhms	20 V	2.1 V	288 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 327,19 3 434En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPD06N80C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD06N80C3ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	3 434En existencias	Cinta cortada ₡1 327,19 ₡650,58 ₡562,10 ₡465,82 ₡442,92 Envase tipo carrete ₡402,84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.1 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 665,49 823En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPP08N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP08N80C3XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	823En existencias	₡1 665,49 ₡832,74 ₡749,47 ₡577,72 Ver ₡556,90 ₡546,49	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	560 mOhms	20 V	2.1 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies 1: ₡2 878,17 2 863En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB17N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB17N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	2 863En existencias	Cinta cortada ₡2 878,17 ₡1 884,08 ₡1 405,26 ₡1 181,46 Envase tipo carrete ₡1 020,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 643,96 1 450En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB17N80C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPB17N80C3ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1 450En existencias	Cinta cortada ₡2 643,96 ₡1 457,30 ₡1 316,78 ₡1 145,02 Envase tipo carrete ₡1 087,77 Ver ₡1 056,54 ₡1 030,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	250 mOhms	20 V	2.1 V	117 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA08N80C3 Infineon Technologies 1: ₡1 826,83 541En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA08N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA08N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	541En existencias	₡1 826,83 ₡1 186,66 ₡832,74 ₡697,42 Ver ₡645,38 ₡608,94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	560 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 873,68 479En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA08N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPA08N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	479En existencias	₡1 873,68 ₡962,86 ₡853,56 ₡681,81 Ver ₡655,79 ₡645,38 ₡614,15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	560 mOhms	20 V	2.1 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 223,09 1 005En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPD04N80C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD04N80C3ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1 005En existencias	Cinta cortada ₡1 223,09 ₡593,33 ₡508,49 ₡417,93 ₡395,55 Envase tipo carrete ₡360,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.1 Ohms	20 V	2.1 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies 1: ₡1 342,80 358En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP06N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPP06N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	358En existencias	₡1 342,80 ₡863,97 ₡588,13 ₡497,04 Ver ₡440,31 ₡416,37 ₡397,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.1 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 238,71 500En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP04N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP04N80C3XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	500En existencias	₡1 238,71 ₡603,74 ₡541,28 ₡454,37 Ver ₡382,02 ₡372,65 ₡370,57 ₡361,20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.1 Ohms	20 V	2.1 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 SPW17N80C3 Infineon Technologies 1: ₡3 398,64 164En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW17N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW17N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	164En existencias	₡3 398,64 ₡2 227,59 ₡1 639,47 ₡1 452,10 ₡1 295,96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 426,08 85En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP06N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP06N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	85En existencias	₡1 426,08 ₡707,83 ₡603,74 ₡472,06 Ver ₡450,72 ₡448,12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	780 mOhms	20 V	2.1 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 SPW11N80C3 Infineon Technologies 1: ₡2 326,48 173En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW11N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW11N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	173En existencias	₡2 326,48 ₡1 524,96 ₡1 139,82 ₡947,25 Ver ₡879,59 ₡827,54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 264,02 180En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW11N80C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW11N80C3FKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	180En existencias	₡2 264,02 ₡1 129,41 ₡1 025,32 ₡853,56 ₡827,54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 SPP08N80C3 Infineon Technologies 1: ₡1 670,69 104En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPP08N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPP08N80C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	104En existencias	₡1 670,69 ₡1 077,36 ₡739,06 ₡598,54 Ver ₡551,69 ₡536,08 ₡520,47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	650 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 SPP04N80C3 Infineon Technologies 1: ₡1 311,57 560En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP04N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPP04N80C3 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	560En existencias	₡1 311,57 ₡832,74 ₡562,10 ₡454,37 Ver ₡407,00 ₡380,46 ₡361,20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.1 Ohms	20 V	2.1 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N80C3 Infineon Technologies 1: ₡1 925,72 698En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA11N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	698En existencias	₡1 925,72 ₡1 254,32 ₡879,59 ₡733,86 Ver ₡676,61 ₡640,17	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡994,09 80En existencias 67 500En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante SPD02N80C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD02N80C3ATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	80En existencias 67 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SPD02N80C3ATMA1 Existencias: 80 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 32 500 Se espera el 13/5/2027 35 000 Se espera el 19/8/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada ₡994,09 ₡472,58 ₡391,91 ₡317,48 Envase tipo carrete ₡265,44 Ver ₡300,31 ₡249,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2 A	2.7 Ohms	20 V	2.1 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 175,55 4En existencias 2 500Se espera el 25/3/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP11N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP11N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	4En existencias 2 500Se espera el 25/3/2027	₡2 175,55 ₡1 113,80 ₡1 004,50 ₡791,11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 055,13 18En existencias 500Se espera el 18/3/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP17N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP17N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	18En existencias 500Se espera el 18/3/2027	₡3 055,13 ₡1 826,83 ₡1 478,12 ₡1 160,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 461,09 259En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW17N80C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW17N80C3FKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	259En existencias	₡3 461,09 ₡1 779,99 ₡1 509,35 ₡1 384,44 ₡1 363,62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	250 mOhms	20 V	2.1 V	117 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 SPP11N80C3 Infineon Technologies 1: ₡2 128,70 1 000En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP11N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPP11N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SPP11N80C3 Existencias: 0 En pedido: 500 Se espera el 4/3/2027 500 Se espera el 3/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 40 Semanas	₡2 128,70 ₡1 389,64 ₡1 009,70 ₡843,15 Ver ₡744,27 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 SPP17N80C3 Infineon Technologies 1: ₡3 049,93 500Se espera el 28/1/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP17N80C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPP17N80C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	500Se espera el 28/1/2027	₡3 049,93 ₡1 603,03 ₡1 275,14 ₡1 160,64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 873,68 Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA11N80C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas	₡1 873,68 ₡942,04 ₡853,56 ₡687,01 Ver ₡681,81 ₡640,17	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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