OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs offer a robust design with enhanced electrical testing. The N-channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications and supply a 175A or 245A continuous drain current.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
5 935En existencias
2 000Se espera el 31/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
4 078En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1 545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
3 612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
Hoja de datos
1 742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1 743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape