Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NTMFS005P03P8Z Single P-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS005P03P8Z Single P-Channel Power MOSFET is ideal for power load switches, battery management, and protection (reverse current, over-voltage, and reverse negative voltage). Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, the NTMFS005P03P8Z delivers -30V drain-to-source voltage, a 2.7mΩ on-resistance at 10V, and a 164A drain/standby current. The onsemi NTMFS005P03P8Z is packaged in a 5mm x 6mm SO8-FL package utilizing advanced package technology for space saving and excellent thermal conduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 2

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 5MO NTMFS005P03P8ZT1G onsemi 1: ₡1 228,30 2 660En existencias 3 000Se espera el 20/10/2026	N.º de artículo del Fabricante NTMFS005P03P8ZT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS05P03P8ZT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 5MO Obtenga más información sobre onsemi ntmfs005p03p8z mosfet	Hoja de datos	2 660En existencias 3 000Se espera el 20/10/2026	Cinta cortada ₡1 228,30 ₡603,74 ₡530,87 ₡403,88 ₡374,74 Envase tipo carrete ₡347,67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 500 : 1 500			Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	P-Channel	1 Channel	30 V	164 A	2.7 mOhms	25 V	3 V	183 nC	- 55 C	+ 150 C	900 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8P PORTFOLIO EXPANSION onsemi NTMFS005P03P8ZST1G NTMFS005P03P8ZST1G onsemi 1: ₡1 171,05 135En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS005P03P8ZST1G N.º de artículo de Mouser 863-MFS005P03P8ZST1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8P PORTFOLIO EXPANSION	Hoja de datos	135En existencias	Cinta cortada ₡1 171,05 ₡567,31 ₡507,45 ₡403,88 ₡353,40 Envase tipo carrete ₡339,34	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 500			Si															Reel, Cut Tape

NTMFS005P03P8Z Single P-Channel Power MOSFET

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte