IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Hoja de datos
40 047En existencias
43 031En pedido
Cinta cortada
₡1 509,35
₡973,27
₡666,20
₡541,28
Envase tipo carrete
₡505,37
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Hoja de datos
2 781En existencias
2 400Se espera el 14/10/2027
Cinta cortada
₡1 223,09
₡629,76
₡536,08
₡424,18
Envase tipo carrete
₡367,97
₡360,68
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Hoja de datos
32 600Se espera el 17/12/2026
₡1 316,78
₡843,15
₡572,51
₡489,24
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube