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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Hoja de datos
721En existencias
₡19 371,72
₡14 822,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
Hoja de datos
6 109En pedido
Cinta cortada
₡21 037,21
₡17 102,49
₡16 092,79
₡15 088,29
Envase tipo carrete
₡15 088,29
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC