NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NCV57001FDWR2G

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Inverting, Non-Inverting
Número de controladores: 1 Driver
Número de salidas: 1 Output
Corriente de salida: 4 A
Producto: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.: 5 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 3.3 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.

En existencias: 1 143

Existencias:
1 143 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 477,42 ₡2 477,42
₡1 769,58 ₡17 695,80
₡1 733,15 ₡43 328,75
₡1 400,05 ₡140 005,00
₡1 384,44 ₡346 110,00
₡1 301,16 ₡650 580,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
₡1 202,28 ₡1 202 280,00
₡1 171,05 ₡2 342 100,00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.