Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB029N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 055,84 1 524En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB029N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB029N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 524En existencias	Cinta cortada ₡2 055,84 ₡1 040,93 ₡942,04 ₡728,65 Envase tipo carrete ₡728,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 940,63 5 751En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF016N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF016N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	5 751En existencias	Cinta cortada ₡2 940,63 ₡1 535,37 ₡1 400,05 ₡1 186,66 Envase tipo carrete ₡1 186,66 Ver ₡1 181,46 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	223 A	1.7 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB013N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 180,04 777En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB013N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB013N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada ₡3 180,04 ₡1 587,42 ₡1 332,39 ₡1 316,78 Envase tipo carrete ₡1 316,78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.3 mOhms	20 V	2.1 V	203 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 197,07 2 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD029N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD029N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2 943En existencias	Cinta cortada ₡1 197,07 ₡582,92 ₡519,94 ₡414,29 ₡389,31 Envase tipo carrete ₡349,75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	131 A	2.9 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 441,69 3 328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD038N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3 328En existencias	Cinta cortada ₡1 441,69 ₡707,83 ₡640,17 ₡511,62 ₡496,00 Envase tipo carrete ₡451,24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.85 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 367,41 770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF012N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	770En existencias	Cinta cortada ₡3 367,41 ₡1 701,92 ₡1 431,28 ₡1 420,87 Envase tipo carrete ₡1 420,87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	282 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 966,65 2 047En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB015N06NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB015N06NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2 047En existencias	Cinta cortada ₡2 966,65 ₡1 550,99 ₡1 415,67 ₡1 202,28 Envase tipo carrete ₡1 202,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	1.5 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 362,91 1 990En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP016N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 990En existencias	₡2 362,91 ₡1 254,32 ₡1 087,77 ₡926,43 ₡858,77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	196 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 415,67 1 665En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 665En existencias	₡1 415,67 ₡754,67 ₡681,81 ₡546,49 Ver ₡515,78 ₡513,18 ₡488,20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	194 A	1.6 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 097,48 943En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF009N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF009N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	943En existencias	Cinta cortada ₡2 097,48 ₡1 066,95 ₡962,86 ₡749,47 Envase tipo carrete ₡749,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	302 A	900 uOhms	20 V	2.1 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT012N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 081,16 1 648En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT012N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT012N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 648En existencias	Cinta cortada ₡3 081,16 ₡1 618,65 ₡1 478,12 ₡1 337,60 ₡1 264,73 Envase tipo carrete ₡1 264,73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 800	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	351 A	1.23 mOhms	20 V	2.2 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 400,05 8 552En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8 552En existencias	₡1 400,05 ₡687,01 ₡619,35 ₡493,92 Ver ₡454,89 ₡433,03	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.9 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies 1: ₡2 737,65 5 164En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7434TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7434TRL7PP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	5 164En existencias	Cinta cortada ₡2 737,65 ₡1 420,87 ₡1 295,96 ₡1 077,36 Envase tipo carrete ₡1 077,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	240 A	1 mOhms	20 V	3 V	210 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 696,72 1 331En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP050N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP050N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 331En existencias	₡1 696,72 ₡848,36 ₡765,08 ₡619,35 ₡598,54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	110 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF017N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 992,68 415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF017N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF017N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	415En existencias	Cinta cortada ₡2 992,68 ₡1 566,60 ₡1 431,28 ₡1 217,89 Envase tipo carrete ₡1 202,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	259 A	1.7 mOhms	20 V	2.2 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 753,97 1 206En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF050N10NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF050N10NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 206En existencias	Cinta cortada ₡1 753,97 ₡879,59 ₡791,11 ₡608,94 Envase tipo carrete ₡588,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	100 V	117 A	5.05 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPF039N08NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 962,15 768En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF039N08NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF039N08NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	768En existencias	Cinta cortada ₡1 962,15 ₡988,88 ₡895,20 ₡692,22 Envase tipo carrete ₡687,01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	80 V	126 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 316,78 777En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada ₡1 316,78 ₡640,17 ₡546,49 ₡432,51 Envase tipo carrete ₡382,02 Ver ₡374,21 ₡368,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	119 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 868,47 1 301En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB012N04NF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB012N04NF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1 301En existencias	Cinta cortada ₡1 868,47 ₡1 103,39 ₡848,36 ₡650,58 Envase tipo carrete ₡645,38 ₡624,56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	197 A	1.25 mOhms	20 V	2.1 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 379,23 8 801En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD020N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	8 801En existencias	Cinta cortada ₡1 379,23 ₡884,79 ₡603,74 ₡511,10 Envase tipo carrete ₡427,82 Ver ₡452,80 ₡405,96	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	143 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 264,73 2 818En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD023N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2 818En existencias	Cinta cortada ₡1 264,73 ₡619,35 ₡551,69 ₡440,31 Envase tipo carrete ₡391,39 Ver ₡428,86 ₡376,82	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	137 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB018N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 696,72 711En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	711En existencias	Cinta cortada ₡1 696,72 ₡848,36 ₡765,08 ₡588,13 Envase tipo carrete ₡562,10	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	1.8 mOhms	20 V	2.35 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 681,10 774En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	774En existencias	Cinta cortada ₡1 681,10 ₡837,95 ₡754,67 ₡577,72 Envase tipo carrete ₡551,69	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	122 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 160,64 3 415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD030N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD030N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3 415En existencias	Cinta cortada ₡1 160,64 ₡562,10 ₡502,77 ₡400,24 Envase tipo carrete ₡348,71 Ver ₡385,66 ₡335,70	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	99 A	3.05 mOhms	20 V	2.35 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: ₡973,27 3 693En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD040N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD040N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3 693En existencias	Cinta cortada ₡973,27 ₡464,26 ₡414,81 ₡327,37 Envase tipo carrete ₡281,05 Ver ₡315,92 ₡262,84	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	4.05 mOhms	20 V	2.35 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape