750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 2 004En existencias
Cinta cortada
₡9 399,61
₡5 792,78
₡5 730,32
Envase tipo carrete
₡5 480,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 624En existencias
₡10 627,90
₡6 687,98
₡6 578,68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 1 946En existencias
Cinta cortada
₡6 427,75
₡3 622,44
₡3 565,19
₡3 476,71
Envase tipo carrete
₡3 351,80
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 641En existencias
₡14 770,81
₡11 242,05
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 311En existencias
₡7 161,60
₡4 247,00
₡4 142,90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 120A SIC 900En existencias
Cinta cortada
₡18 237,11
₡13 433,21
₡13 428,01
₡12 824,27
₡12 720,17
Envase tipo carrete
₡12 720,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 46A SIC 1 990En existencias
Cinta cortada
₡8 790,66
₡5 313,95
₡5 027,70
Envase tipo carrete
₡5 027,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 37A SIC 1 942En existencias
Cinta cortada
₡7 682,07
₡4 460,39
₡4 220,97
Envase tipo carrete
₡4 220,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 80A SIC 490En existencias
Cinta cortada
₡13 266,66
₡8 993,64
₡8 957,21
₡8 514,81
Envase tipo carrete
₡8 514,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439En existencias
₡7 447,86
₡4 522,84
₡4 028,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410En existencias
₡6 557,86
₡3 934,72
₡3 414,25
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1 000En existencias
Cinta cortada
₡6 511,02
₡4 528,05
₡3 601,62
Envase tipo carrete
₡3 383,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450En existencias
₡5 579,39
₡3 029,11
₡2 800,10
₡2 779,29
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 26A SIC 970En existencias
Cinta cortada
₡6 375,70
₡3 586,01
₡3 502,73
₡3 310,16
Envase tipo carrete
₡3 310,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440En existencias
₡4 642,55
₡2 722,03
₡2 368,12
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1 000En existencias
Cinta cortada
₡4 757,05
₡3 247,70
₡2 394,14
₡2 383,73
Envase tipo carrete
₡2 238,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 1 439En existencias
Cinta cortada
₡10 013,75
₡7 630,02
₡6 360,09
₡5 667,87
Envase tipo carrete
₡5 287,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TOLL 750V 61A SIC 92En existencias
Cinta cortada
₡10 622,70
₡6 776,46
₡6 745,23
₡6 412,13
Envase tipo carrete
₡6 412,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC 242En existencias
1 000Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
₡16 524,78
₡11 871,82
₡11 866,61
Envase tipo carrete
₡11 242,05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 133En existencias
₡10 830,88
₡6 578,68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 428En existencias
₡7 661,25
₡4 481,21
₡4 023,20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 23En existencias
1 000Se espera el 29/9/2026
Cinta cortada
₡6 406,93
₡3 684,90
₡3 575,60
₡3 372,62
Envase tipo carrete
₡3 190,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
450Se espera el 20/10/2026
₡19 985,87
₡13 490,46
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement