Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 4 428En existencias
Cinta cortada
₡1 389,64
₡681,81
₡614,15
₡490,28
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Envase tipo carrete
₡428,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance 4 704En existencias
Cinta cortada
₡1 519,76
₡754,67
₡676,61
₡546,49
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Envase tipo carrete
₡421,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 33 582En existencias
Cinta cortada
₡1 103,39
₡572,51
₡509,54
₡405,44
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Envase tipo carrete
₡340,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 28 297En existencias
5 000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
₡1 077,36
₡515,78
₡461,13
₡364,85
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Envase tipo carrete
₡279,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 203En existencias
30 000Se espera el 8/4/2027
Cinta cortada
₡1 280,34
₡687,01
₡556,90
₡445,52
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Envase tipo carrete
₡373,17
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 738En existencias
50 000En pedido
Cinta cortada
₡567,31
₡344,55
₡242,54
₡174,88
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Envase tipo carrete
₡108,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
38 763En pedido
Cinta cortada
₡2 472,21
₡1 618,65
₡1 207,48
₡1 009,70
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Envase tipo carrete
₡879,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
339 760En pedido
Cinta cortada
₡827,54
₡387,23
₡344,55
₡269,60
Envase tipo carrete
₡212,35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7 000
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
159 714En pedido
Cinta cortada
₡655,79
₡322,69
₡267,52
₡208,71
₡206,10
Envase tipo carrete
₡156,66
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
14 976En pedido
Cinta cortada
₡1 061,75
₡510,58
₡456,97
₡401,80
₡373,17
Envase tipo carrete
₡306,03
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel