ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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1 940En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1 600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
1 029En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 600

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
Hoja de datos
1 810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220
Hoja de datos
2 812En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
5 565En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 74 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
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Comentarios de Producto
12 345En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 126 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
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36 852En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 10.3 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
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15 516En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19.7 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs SO-8
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3 139En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 250 V 4.1 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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31 028En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 100 V 11.3 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 10 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
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20 056En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 100 V 6.3 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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7 016En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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2 684En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 51.6 A 17.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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16 136En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 18.6 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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3 257En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 90 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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5 118En existencias
3 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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24 304En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S
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15 154En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH-8 N-Channel 1 Channel 200 V 19.5 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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21 321En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 200 V 14.1 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18.2 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252
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Comentarios de Producto
14 324En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 35.8 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
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1 098En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263
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2 546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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4 542En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50.8 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
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3 950En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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16 495En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel