Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 268,52 1 661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT063N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1 661En existencias	Cinta cortada ₡3 268,52 ₡1 727,95 ₡1 603,03 ₡1 478,12 ₡1 368,82 Envase tipo carrete ₡1 368,82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	122 A	6.3 mOhms	20 V	4.6 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 580,80 1 947En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT039N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1 947En existencias	Cinta cortada ₡3 580,80 ₡1 910,11 ₡1 743,56 ₡1 639,47 ₡1 545,78 Envase tipo carrete ₡1 545,78	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	150 V	190 A	4.3 mOhms	20 V	4.6 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 768,17 2 447En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT044N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 447En existencias	Cinta cortada ₡3 768,17 ₡2 524,26 ₡2 029,82 ₡1 800,81 ₡1 707,13 Envase tipo carrete ₡1 592,62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	174 A	4.4 mOhms	20 V	4.6 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1 IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 862,56 404En existencias 1 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP076N15N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	404En existencias 1 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP076N15N5XKSA1 Existencias: 404 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 500 Se espera el 11/2/2027 1 000 Se espera el 4/3/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡2 862,56 ₡1 878,88 ₡1 400,05 ₡1 171,05 Ver ₡1 082,57 ₡1 014,91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	112 A	7.6 mOhms	20 V	4.6 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 679,69 2 640En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT054N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2 640En existencias	Cinta cortada ₡3 679,69 ₡2 461,80 ₡1 977,77 ₡1 759,17 ₡1 665,49 Envase tipo carrete ₡1 556,19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	143 A	5.4 mOhms	20 V	4.6 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 945,83 4 000Se espera el 1/7/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC093N15NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S93N15NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4 000Se espera el 1/7/2027	Cinta cortada ₡2 945,83 ₡1 930,93 ₡1 420,87 ₡1 264,73 ₡1 119,00 Envase tipo carrete ₡1 119,00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	89 A	9.3 mOhms	20 V	3 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 383,03 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQD063N15NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada ₡3 383,03 ₡1 889,29 ₡1 639,47 ₡1 535,37 Ver Envase tipo carrete ₡1 415,67 ₡1 524,96 ₡1 514,55 ₡1 415,67	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	150 V	148 A	6.32 Ohms	10 V	3 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

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