Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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DPAK-3 (TO-252-3)
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90 A
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125 W
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IPD90P04P4L04ATMA2
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726-IPD90P04P4L04AT2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
7 460 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPD70P04P409ATMA2
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726-IPD70P04P409ATMA
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2 574 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
73 A
6.4 mOhms
20 V
3 V
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- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
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726-IPB120P04P4L03A2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
210 En existencias
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210 Se puede enviar inmediatamente
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2 000 Se espera el 16/10/2026
4 000 Se espera el 22/10/2026
1 790 Se espera el 2/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3-2
P-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4 mOhms
- 16 V, 5 V
3 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4L020ATMA1
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Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
264 A
2 mOhms
- 5 V, 16 V
2.2 V
202 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4L040ATMA1
Infineon Technologies
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1 000 Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4L040ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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5 000
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
163 A
3.7 mOhms
- 5 V, 16 V
2.2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4L100ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡910,81
1 000 Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4L100ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
70 A
10.5 mOhms
- 5 V, 16 V
2.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
77 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4N020ATMA1
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₡2 035,02
1 000 Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N020ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
248 A
2.3 mOhms
20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4N040ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 420,87
1 000 Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N040ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
151 A
4.3 mOhms
20 V
4 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
IAUCP04P4N120ATMA1
Infineon Technologies
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₡910,81
1 000 Se espera el 15/10/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCP04P4N120ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1 000 Se espera el 15/10/2026
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Mult.: 1
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5 000
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
P-Channel
1 Channel
40 V
64 A
12.5 mOhms
20 V
4 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape