Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: ₡5 506,52 3 834En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3 834En existencias	Cinta cortada ₡5 506,52 ₡3 893,08 ₡3 242,50 ₡2 888,58 Envase tipo carrete ₡2 732,44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: ₡2 133,91 5 572En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5 572En existencias	Cinta cortada ₡2 133,91 ₡1 394,85 ₡1 014,91 ₡884,79 Envase tipo carrete ₡744,27 ₡733,86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB107N20N3 G Infineon Technologies 1: ₡3 710,92 2 010En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	2 010En existencias	Cinta cortada ₡3 710,92 ₡2 872,97 Envase tipo carrete ₡2 872,97 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3 G Infineon Technologies 1: ₡3 138,41 2 790Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP110N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP110N20N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	2 790Se espera el 22/10/2026	₡3 138,41 ₡2 055,84 ₡1 535,37 ₡1 280,34 Ver ₡1 124,21 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube