Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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1.5 V
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TSOP-6
N-Channel
2 Channel
100 V
2 A
84 mOhms, 84 mOhms
20 V
1.5 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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N-Channel
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60 V
650 mA
1.8 Ohms
12 V
1.3 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel
2 Channel
20 V
250 mA
750 mOhms
10 V
350 mV
340 pC
- 55 C
+ 150 C
250 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
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Si
SMD/SMT
SOT-563-6
P-Channel
1 Channel
12 V
4.8 A
26 mOhms
8 V
1 V
12.7 nC
- 55 C
+ 150 C
700 mW
Enhancement
U-MOSVI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
SSM6J801R,LF
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3 000 Se espera el 22/1/2027
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757-SSM6J801RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
826 En existencias
3 000 Se espera el 22/1/2027
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SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
6 A
32.5 mOhms
- 8 V, 6 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
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U-MOSVI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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348 000 Se espera el 14/12/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
100 V
3.5 A
51 mOhms
20 V
1.5 V
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
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U-MOSVIII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
5 168 En existencias
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SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
250 mA
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10 V
350 mV
340 pC
- 55 C
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285 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
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SMD/SMT
ES6-6
P-Channel
2 Channel
30 V
100 mA
8 Ohms
20 V
1.7 V
- 55 C
+ 150 C
150 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F
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4 723 Se espera el 2/11/2026
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757-SSM6K819RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F
4 723 Se espera el 2/11/2026
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