600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3 962En existencias
Cinta cortada
₡723,45
₡394,51
₡341,43
₡276,89
₡255,03
Envase tipo carrete
₡229,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 400 mOhms 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 112 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 6 557En existencias
Cinta cortada
₡681,81
₡337,26
₡278,97
₡217,55
₡200,90
Envase tipo carrete
₡151,46
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 800 mOhms 20 V 3 V 17.2 nC - 40 C + 150 C 74 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1 421En existencias
₡1 056,54
₡473,62
₡425,22
₡356,00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 32 709En existencias
Cinta cortada
₡546,49
₡251,38
₡222,24
₡171,23
Envase tipo carrete
₡135,84
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 8 485En existencias
Cinta cortada
₡411,17
₡185,81
₡163,43
₡124,39
Envase tipo carrete
₡95,25
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 7.96 Ohms 20 V 2.5 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 665En existencias
₡468,42
₡199,86
₡176,96
₡144,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2.1 Ohms 20 V 3 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 488En existencias
₡775,49
₡364,85
₡324,25
₡252,95
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 2.22 Ohms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 7 480En existencias
Cinta cortada
₡541,28
₡248,78
₡220,16
₡169,67
Envase tipo carrete
₡135,32
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 61 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 742En existencias
Cinta cortada
₡530,87
₡243,58
₡215,47
₡165,51
Envase tipo carrete
₡129,08
₡113,46
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 2.34 Ohms 20 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 9 865En existencias
Cinta cortada
₡452,80
₡205,06
₡181,12
₡137,92
Envase tipo carrete
₡106,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 4.91 Ohms 20 V 2.5 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 918En existencias
₡520,47
₡221,72
₡196,74
₡160,82
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.5 Ohms 20 V 3 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 49 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3 Plazo de entrega 8 Semanas
₡1 113,80
₡582,92
₡433,03
₡335,70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 890 mOhms 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 126En existencias
Cinta cortada
₡499,65
₡227,44
₡200,90
₡154,06
Envase tipo carrete
₡121,79
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2.1 Ohms 20 V 3 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 098En existencias
Cinta cortada
₡843,15
₡397,12
₡353,40
₡305,51
Envase tipo carrete
₡211,83
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 381En existencias
₡1 098,18
₡577,72
₡452,28
₡346,63
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 581En existencias
17 500En pedido
Cinta cortada
₡770,29
₡361,72
₡321,65
₡251,38
Envase tipo carrete
₡195,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4 613En existencias
Cinta cortada
₡515,26
₡235,77
₡208,19
₡160,30
Envase tipo carrete
₡124,39
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 75En existencias
₡921,22
₡438,75
₡391,39
₡308,12
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 650 mOhms 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 551En existencias
₡1 040,93
₡499,13
₡455,41
₡360,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 940 mOhms 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 402En existencias
5 000Se espera el 13/5/2027
Cinta cortada
₡551,69
₡252,43
₡223,28
₡171,75
Envase tipo carrete
₡136,36
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.5 Ohms 20 V 3 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 49 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 462En existencias
Cinta cortada
₡744,27
₡348,19
₡309,16
₡240,46
Envase tipo carrete
₡183,20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 355En existencias
12 500En pedido
Cinta cortada
₡853,56
₡403,36
₡359,12
₡282,09
Envase tipo carrete
₡229,53
₡218,60
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 400 mOhms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 118 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 722En existencias
Cinta cortada
₡484,03
₡294,58
₡206,62
₡148,33
₡133,76
Envase tipo carrete
₡104,09
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12 477Se espera el 15/4/2027
Cinta cortada
₡614,15
₡325,81
₡248,78
₡204,02
₡184,77
Envase tipo carrete
₡148,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel