Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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10
₡315,92
100
₡280,53
500
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3 000
₡171,75
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10
₡313,84
100
₡278,45
500
₡216,51
3 000
₡187,37
6 000
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100
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₡3 674,49
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₡2 102,68
100
₡1 759,17
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₡1 561,40
100
₡1 426,08
480
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1
₡707,83
10
₡445,00
100
₡294,06
500
₡229,00
1 000
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4 000
₡167,07
1 000
₡208,19
2 000
₡190,49
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1
₡869,18
10
₡410,13
100
₡365,89
500
₡287,30
2 000
₡274,29
4 000
₡223,80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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₡879,59
100
₡598,54
500
₡479,35
1 000
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5 000
₡411,17
1 000
₡440,83
2 500
₡434,07
5 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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1
₡1 431,28
10
₡702,63
100
₡634,97
500
₡551,69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
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1
₡1 103,39
10
₡530,87
100
₡474,66
500
₡376,30
1 000
Ver
1 000
₡346,63
2 500
₡333,62
5 000
₡325,29
10 000
₡312,28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
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1
₡1 051,34
10
₡556,90
100
₡433,55
500
₡326,33
1 000
Ver
1 000
₡274,81
2 500
₡267,52
5 000
₡262,31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R160P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
299 En existencias
1
₡1 779,99
10
₡890,00
100
₡806,72
500
₡650,58
1 000
₡603,74
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R600P7XKSA1
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1
₡1 113,80
10
₡634,97
100
₡475,71
500
₡379,42
1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
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1 000
₡456,45
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R080P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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10
₡1 998,59
100
₡1 431,28
500
₡1 290,75
1 000
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