Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Costa Rica

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 777,87 268En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	268En existencias	₡4 777,87 ₡2 815,72 ₡2 373,32 ₡2 300,46 ₡2 165,14	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
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	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 688,69 284En existencias 720En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPW65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	284En existencias 720En pedido	₡5 688,69 ₡3 096,77 ₡2 867,76 ₡2 852,15	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 220,97 41En existencias 500Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	41En existencias 500Se espera el 10/12/2026	₡4 220,97 ₡2 279,64 ₡2 092,27 ₡1 920,52	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
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	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 838,21 151En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA65R029CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	151En existencias	₡7 838,21 ₡4 413,55 ₡4 335,48	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube