40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
125En existencias
4 500Se espera el 18/6/2027
Cinta cortada
₡1 811,22
₡1 077,36
₡827,54
₡660,99
₡603,74
Envase tipo carrete
₡603,74
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
27 736En existencias
16 500Se espera el 14/7/2027
Cinta cortada
₡1 816,42
₡910,81
₡822,34
₡671,40
₡619,35
Envase tipo carrete
₡619,35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 186En existencias
Cinta cortada
₡1 915,31
₡962,86
₡874,38
₡713,04
₡660,99
Envase tipo carrete
₡660,99
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 278 A 900 uOhms 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
3 030En existencias
Cinta cortada
₡1 550,99
₡770,29
₡692,22
₡556,90
₡498,61
Envase tipo carrete
₡498,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms 20 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
33En existencias
27 000En pedido
Cinta cortada
₡1 998,59
₡1 165,84
₡910,81
₡713,04
₡666,20
Envase tipo carrete
₡666,20
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
61En existencias
1 500Se espera el 10/9/2027
Cinta cortada
₡2 654,37
₡1 540,58
₡1 384,44
₡1 051,34
₡952,45
Envase tipo carrete
₡952,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
5En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 103,39
₡759,88
₡634,97
₡588,13
Envase tipo carrete
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 349 A 700 uOhms 20 V 2.2 V 96 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
9En existencias
3 000Se espera el 16/10/2026
Cinta cortada
₡1 342,80
₡733,86
₡577,72
₡460,09
₡395,55
Envase tipo carrete
₡395,55
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
62En existencias
6 000Se espera el 22/9/2026
Cinta cortada
₡1 191,87
₡759,88
₡509,54
₡412,73
₡370,05
Envase tipo carrete
₡370,05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
62En existencias
4 500En pedido
Cinta cortada
₡968,07
₡525,67
₡387,23
₡304,99
₡240,98
Envase tipo carrete
₡240,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
41En existencias
3 000En pedido
Cinta cortada
₡999,29
₡619,35
₡316,96
₡265,96
₡221,20
Envase tipo carrete
₡221,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
5 907En pedido
Cinta cortada
₡2 170,34
₡1 134,61
₡994,09
₡827,54
₡780,70
Envase tipo carrete
₡780,70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
12 003En pedido
Cinta cortada
₡1 649,88
₡931,63
₡791,11
₡608,94
₡536,08
Envase tipo carrete
₡536,08
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
5 897En pedido
Cinta cortada
₡1 295,96
₡733,86
₡551,69
₡465,30
₡376,30
Envase tipo carrete
₡376,30
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel