Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 324

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6030ENX
ROHM Semiconductor
1: ₡3 726,53
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6030ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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407En existencias

Cinta cortada

₡3 726,53

₡2 493,03

₡2 003,79

Envase tipo carrete

₡1 691,51

₡1 571,81

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise

R6076ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: ₡10 851,70
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6076ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6076ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise

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594En existencias

₡10 851,70

₡7 645,64

₡7 640,43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

260 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RQ3E100ATTB
ROHM Semiconductor
1: ₡770,29
2 094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3E100ATTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3E100ATTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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2 094En existencias

Cinta cortada

₡770,29

₡485,07

₡321,13

₡251,38

Envase tipo carrete

₡199,34

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

30 V

31 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

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+ 150 C

17 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RQ3E120BNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡499,65
4 746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3E120BNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3E120BNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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4 746En existencias

Cinta cortada

₡499,65

₡311,24

₡202,46

₡155,10

Envase tipo carrete

₡131,68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

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+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E240GNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡754,67
2 475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS1E240GNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E240GNTB

ROHM Semiconductor

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2 475En existencias

Cinta cortada

₡754,67

₡353,92

₡302,39

₡245,14

Envase tipo carrete

₡198,82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

72 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch

R6020KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: ₡4 460,39
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6020KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

592En existencias

₡4 460,39

₡2 607,53

₡2 409,75

₡2 388,94

₡2 368,12

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

196 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

R6547KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: ₡7 983,94
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6547KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6547KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

492En existencias

₡7 983,94

₡5 381,61

₡5 345,18

₡5 339,98

Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V DRIVE N-Ch MOSFET

RCJ300N20TL
ROHM Semiconductor
1: ₡2 414,96
869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RCJ300N20TL

N.º de artículo de Mouser
755-RCJ300N20TL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V DRIVE N-Ch MOSFET

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Hoja de datos

869En existencias

Cinta cortada

₡2 414,96

₡1 582,21

₡1 181,46

₡988,88

Envase tipo carrete

₡916,02

₡863,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

RCX700N20
ROHM Semiconductor
1: ₡2 696,01
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RCX700N20

N.º de artículo de Mouser
755-RCX700N20

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

459En existencias

₡2 696,01

₡1 790,40

₡1 275,14

₡1 046,14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

200 V

70 A

42.7 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK)

RD3T075CNTL1
ROHM Semiconductor
1: ₡1 056,54
2 389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3T075CNTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3T075CNTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK)

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Hoja de datos

2 389En existencias

Cinta cortada

₡1 056,54

₡676,61

₡452,80

₡365,37

Envase tipo carrete

₡294,06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

200 V

7.5 A

325 mOhms

- 30 V, 30 V

5.25 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive)

RQ3E110AJTB
ROHM Semiconductor
1: ₡640,17
4 772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3E110AJTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3E110AJTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive)

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Hoja de datos

4 772En existencias

Cinta cortada

₡640,17

₡399,72

₡262,31

₡203,50

Envase tipo carrete

₡159,78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RQ3E180BNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡603,74
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3E180BNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3E180BNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

3 000En existencias

Cinta cortada

₡603,74

₡278,45

₡246,70

₡190,49

Envase tipo carrete

₡141,57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise

R6047ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: ₡8 717,80
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6047ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6047ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

564En existencias

₡8 717,80

₡5 360,79

₡4 299,04

₡4 293,84

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R6511KNJTL
ROHM Semiconductor
1: ₡1 342,80
1 980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6511KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6511KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

1 980En existencias

Cinta cortada

₡1 342,80

₡1 275,14

₡1 243,91

₡1 217,89

Envase tipo carrete

₡1 160,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)

RD3U040CNTL1
ROHM Semiconductor
1: ₡1 061,75
1 657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3U040CNTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3U040CNTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)

Obtenga más información

Hoja de datos

1 657En existencias

Cinta cortada

₡1 061,75

₡681,81

₡456,97

₡362,24

Envase tipo carrete

₡292,50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

4 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RF4E070BNTR
ROHM Semiconductor
1: ₡1 051,34
2 988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF4E070BNTR

N.º de artículo de Mouser
755-RF4E070BNTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

Hoja de datos

2 988En existencias

Cinta cortada

₡1 051,34

₡650,58

₡426,78

₡335,70

Envase tipo carrete

₡232,13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel

1 Channel

30 V

7 A

28.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 20V 3A

RQ5C030TPTL
ROHM Semiconductor
1: ₡536,08
5 974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ5C030TPTL

N.º de artículo de Mouser
755-RQ5C030TPTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 20V 3A

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Hoja de datos

5 974En existencias

Cinta cortada

₡536,08

₡297,71

₡209,23

₡167,59

Envase tipo carrete

₡121,27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

75 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -6.5A Si MOSFET

RQ6C065BCTCR
ROHM Semiconductor
1: ₡650,58
3 158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ6C065BCTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ6C065BCTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -6.5A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3 158En existencias

Cinta cortada

₡650,58

₡368,49

₡257,63

₡209,23

Envase tipo carrete

₡167,07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-457-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

21 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -5.5A Si MOSFET

RQ7E055ATTCR
ROHM Semiconductor
1: ₡900,41
3 037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ7E055ATTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ7E055ATTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -5.5A Si MOSFET

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Hoja de datos

3 037En existencias

Cinta cortada

₡900,41

₡572,51

₡379,42

₡298,75

Envase tipo carrete

₡239,41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSMT-8

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

24.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 60A HSOP8

RS1P600BETB1
ROHM Semiconductor
1: ₡2 118,29
1 241En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RS1P600BETB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS1P600BETB1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 60A HSOP8

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Hoja de datos

1 241En existencias

Cinta cortada

₡2 118,29

₡1 389,64

₡1 035,73

₡869,18

Envase tipo carrete

₡754,67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET

RSJ550N10TL
ROHM Semiconductor
1: ₡2 919,81
1 728En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RSJ550N10TL

N.º de artículo de Mouser
755-RSJ550N10TL

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1 728En existencias

Cinta cortada

₡2 919,81

₡1 941,34

₡1 389,64

₡1 243,91

Envase tipo carrete

₡1 009,70

₡994,09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

16.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252

R6004JND3TL1
ROHM Semiconductor
1: ₡1 353,21
2 394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004JND3TL1

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755-R6004JND3TL1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R6011KND3TL1
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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

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RQ1E075XNTCR
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SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

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R6011END3TL1
ROHM Semiconductor
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11 A

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32 nC

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Soporte

DFN-0604-3
DFN-0806-3
DFN-1006-3
DFN-2020-8
HSMT-8
HSOP-8
SOP-8
SOT-23-3
SOT-323-3
SOT-323FL-3
SOT-323T-3
SOT-346-3
SOT-346T-3
SOT-363-6
SOT-363T-3
SOT-363T-6
SOT-416-3
SOT-416FL-3
SOT-457-6
SOT-457T-6

100 mA
150 mA
180 mA
200 mA
230 mA
250 mA
1 A
1.3 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A

1.2 mOhms
1.76 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.9 mOhms
4.1 mOhms
4.3 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms

1.4 nC
1.8 nC
2 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.4 nC
2.7 nC
2.9 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.7 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.2 nC

100 mW
150 mW
200 mW
350 mW
400 mW
600 mW
800 mW
1 W
1.25 W
1.5 W
2 W
3 W
14 W
14.8 W
15 W
17 W
18 W
20 W
22 W
23 W