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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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325En existencias
Min.: 1
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: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET
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133En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET
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363En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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14En existencias
1 000Se espera el 8/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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267En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET
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123En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET
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485En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A Si MOSFET
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259En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
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1 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CH 1.5V 4A
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1 652En existencias
3 000Se espera el 26/8/2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323T-3 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 37 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V Drive Pch MOSFET
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515En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363T-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.5 A 62 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
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3 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363T-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 42 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch Power MOSFET
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743En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 5 A 1.36 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch Power MOSFET
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618En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 22 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC83 N-CH 250V 51A
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528En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 51 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 120 nC - 55 C + 150 C 304 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V DRIVE N-Ch MOSFET
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84En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 42.7 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 125 nC - 55 C + 150 C 297 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch Power MOSFET
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498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 5 A 1.36 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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481En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch Power MOSFET
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462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 200 V 8 A 770 mOhms - 30 V, 30 V 5.25 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 10A MOSFET
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343En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 10 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 26.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 5.25 V 26 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 200 V 20 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 22 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
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200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 33A MOSFET
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221En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 33 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 80 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk