Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1 200Se espera el 12/3/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1 985En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1 997Se espera el 26/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
998Se espera el 29/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
400Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
996Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1 200Se espera el 29/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
592Se espera el 20/8/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
1 800Se espera el 29/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
599Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Hoja de datos
600Se espera el 21/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Hoja de datos
1 945En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
100En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SiC MOSFETS