Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 18.7A

SIS184LDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 301,16
17 115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS184LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS184LDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 60V 18.7A

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17 115En existencias

Cinta cortada

₡1 301,16

₡634,97

₡572,51

₡454,37

₡430,42

Envase tipo carrete

₡391,91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

- 20 V, 20 V

3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡843,15
17 085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA12ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA12ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

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17 085En existencias

Cinta cortada

₡843,15

₡399,20

₡355,48

₡278,97

Envase tipo carrete

₡222,76

₡216,51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

3.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA26DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡765,08
5 990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA26DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA26DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

5 990En existencias

Cinta cortada

₡765,08

₡360,16

₡320,09

₡250,34

Envase tipo carrete

₡198,30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

2.15 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 269,94
15 054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISF00DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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15 054En existencias

Cinta cortada

₡1 269,94

₡619,35

₡556,90

₡442,40

₡427,82

Envase tipo carrete

₡379,42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SCD-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

4.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 353,21
20 922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH116DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH116DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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20 922En existencias

Cinta cortada

₡1 353,21

₡666,20

₡598,54

₡476,75

₡465,30

Envase tipo carrete

₡415,33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH

N-Channel

1 Channel

40 V

16.4 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS26DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 400,05
5 989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS26DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS26DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Cinta cortada

₡1 400,05

₡687,01

₡619,35

₡493,92

₡476,23

Envase tipo carrete

₡433,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S-8

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD40020E_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 285,55
3 591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40020E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40020E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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₡1 285,55

₡837,95

₡702,63

₡608,94

₡358,60

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24A

SISA12BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡817,13
11 411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA12BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SISA12BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24A

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11 411En existencias

Cinta cortada

₡817,13

₡384,10

₡341,95

₡268,04

Envase tipo carrete

₡244,62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

4.3 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡910,81
23 625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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23 625En existencias

Cinta cortada

₡910,81

₡433,55

₡386,71

₡304,47

₡280,53

Envase tipo carrete

₡240,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

SIA483ADJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡411,17
75 445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA483ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA483ADJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 30V 10.6A

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Hoja de datos

75 445En existencias

Cinta cortada

₡411,17

₡186,85

₡164,47

₡125,43

Envase tipo carrete

₡96,29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

16 mOhms

- 20 V, 16 V

5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

17.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA72ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡837,95
28 017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA72ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA72ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

28 017En existencias

Cinta cortada

₡837,95

₡395,55

₡352,36

₡276,37

Envase tipo carrete

₡220,16

₡213,91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

96 A

3.42 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR606DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 155,43
8 002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR606DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR606DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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8 002En existencias

Cinta cortada

₡1 155,43

₡562,10

₡499,65

₡397,64

₡370,57

Envase tipo carrete

₡333,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

16.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

36.5 nC

- 55 C

+ 150 C

44.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡879,59
3 491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA10DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA10DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

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Hoja de datos

3 491En existencias

Cinta cortada

₡879,59

₡415,85

₡371,09

₡291,46

Envase tipo carrete

₡233,17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

2.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 634,26
3 524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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Hoja de datos

3 524En existencias

Cinta cortada

₡1 634,26

₡1 056,54

₡723,45

₡624,56

Envase tipo carrete

₡530,87

₡516,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

SQA413CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡379,94
18 903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA413CEJW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA413CEJW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

18 903En existencias

Cinta cortada

₡379,94

₡235,77

₡151,46

₡115,02

Envase tipo carrete

₡87,96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

38 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

10.1 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

SI7116BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡942,04
25 144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7116BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7116BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

25 144En existencias

Cinta cortada

₡942,04

₡448,64

₡400,24

₡315,92

Envase tipo carrete

₡253,47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8PT

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31.4 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

SIA928DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡458,01
8 293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA928DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA928DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

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Hoja de datos

8 293En existencias

Cinta cortada

₡458,01

₡209,75

₡185,29

₡141,57

Envase tipo carrete

₡109,30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA72DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 202,28
4 976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA72DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA72DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4 976En existencias

Cinta cortada

₡1 202,28

₡582,92

₡525,67

₡415,33

₡390,87

Envase tipo carrete

₡351,83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

41.5 nC

- 40 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA96DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡431,99
72 682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA96DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA96DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

72 682En existencias

Cinta cortada

₡431,99

₡197,26

₡173,84

₡132,72

Envase tipo carrete

₡102,01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7.3 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

SISF20DN-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-1212SCD-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

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SISS04DN-T1-GE3
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PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQD40020EL_GE3
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

TrenchFET

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SIJ188DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIJ188DP-T1-GE3

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78-SIJ188DP-T1-GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

92.4 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8

SIR846BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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78-SIR846BDP-T1-RE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

65.8 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34.5 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-4
PowerPAIR-3x3-8
PowerPAIR 3 x 3FS-12
PowerPAIR-3x3S-8
PowerPAIR-6x5-8
PowerPAIR 6 x 5FS-8
PowerPAK-0806-3
PowerPAK 10 x 12
PowerPAK1212-8
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPak-1212-8
PowerPAK 1212-8PT
PowerPAK-1212-8PT
PowerPAK-1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-1212-8SCD-8

500 mA
1 A
1.02 A
2.6 A
2.9 A
3.7 A
4.5 A
5.7 A
6 A
6.1 A
7.1 A
7.5 A
8 A
8.3 A
8.9 A
10 A
11.3 A
12 A
12.3 A
14 A

310 uOhms
580 uOhms
620 uOhms
650 uOhms
740 uOhms
780 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
830 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
920 uOhms
940 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.04 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.22 mOhms

350 mV
400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.1 V, 1.2 V
1.15 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V

600 pC
710 pC
750 pC
2 nC
2.4 nC
3.8 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC, 10 nC
6.7 nC
7.1 nC
9.2 nC
9.5 nC
10 nC
10.1 nC
10.4 nC

240 mW
900 mW
1.25 W
1.6 W
1.8 W
2.8 W
3 W
3.6 W
3.7 W
3.8 W
4 W
4.5 W
4.8 W
5 W
5.2 W
5.6 W
7 W
7.5 W
7.8 W
10.4 W