D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

Resultados: 34
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
3 603En existencias
₡5 667,87
₡3 648,46
₡3 471,50
₡3 383,03
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Hoja de datos
3 471En existencias
₡3 762,96
₡2 066,25
₡1 759,17
₡1 613,44
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Hoja de datos
679En existencias
₡10 430,13
₡7 218,86
₡6 141,49
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET
Hoja de datos
250En existencias
₡12 928,36
₡8 717,80
₡8 296,22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
1 703En existencias
₡2 977,06
₡1 561,40
₡1 342,80
₡1 212,68
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
784En existencias
₡13 896,43
₡10 352,06
₡9 488,08
₡9 045,69
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Hoja de datos
687En existencias
₡4 694,60
₡2 565,89
₡2 352,50
₡2 217,18
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL
Hoja de datos
275En existencias
300Se espera el 9/11/2026
₡12 433,92
₡8 842,71
₡8 686,57
₡8 186,92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET
Hoja de datos
861En existencias
₡10 565,45
₡6 479,79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET
Hoja de datos
302En existencias
₡14 703,15
₡9 706,68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Hoja de datos
459En existencias
₡7 229,26
₡4 038,81
₡3 908,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Hoja de datos
1 651En existencias
₡2 472,21
₡1 374,03
₡1 171,05
₡983,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Hoja de datos
1 886En existencias
₡3 424,66
₡1 816,42
₡1 655,08
₡1 623,85
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Hoja de datos
1 240En existencias
₡2 482,62
₡1 550,99
₡1 498,94
₡1 457,30
₡1 436,48
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
525En existencias
₡6 172,72
₡3 591,21
₡3 315,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
360En existencias
450Se espera el 3/11/2026
₡14 802,04
₡10 123,05
₡9 514,11
₡9 191,42
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A
Hoja de datos
218En existencias
₡19 678,80
₡14 760,40
₡13 906,84
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
3 905En existencias
₡2 305,66
₡1 249,12
₡1 020,11
₡874,38
₡853,56
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Hoja de datos
3 414En existencias
13 440En pedido
₡2 982,27
₡1 712,33
₡1 426,08
₡1 332,39
₡1 150,23
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
40En existencias
3 050Se espera el 12/10/2026
₡2 539,87
₡1 337,60
₡1 207,48
₡994,09
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
Hoja de datos
556En existencias
50Se espera el 30/12/2026
₡2 451,39
₡1 254,32
₡1 139,82
₡1 124,21
₡936,84
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Hoja de datos
300En existencias
₡4 189,75
₡2 269,23
₡2 076,66
₡1 785,20
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL
Hoja de datos
300En existencias
₡4 543,66
₡2 560,69
₡2 347,30
₡2 066,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V
Hoja de datos
163En existencias
₡7 291,72
₡4 429,16
₡4 111,68
₡3 908,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
445En existencias
₡2 248,41
₡1 348,01
₡1 056,54
₡858,77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube