Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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Resultados: 10

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Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Id - Corriente de drenaje continua	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Frecuencia de trabajo	Ganancia	Potencia de salida	Temperatura de trabajo máxima	Paquete / Cubierta	Empaquetado
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications MWT-PH8F CML Micro 10: ₡55 127,70 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-PH8F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH8F	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	100En existencias	₡55 127,70 ₡55 122,49	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	250 mA to 300 mA	8 V		18 GHz	11 dB	30 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications MWT-PH11F CML Micro 10: ₡59 166,51 90En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-PH11F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH11F	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	90En existencias	₡59 166,51 ₡59 161,30	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	440 mA to 800 mA	8 V		12 GHz	9 dB	32 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH9F CML Micro 10: ₡49 308,89 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-PH9F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH9F	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	100En existencias	₡49 308,89 ₡49 241,23 ₡45 160,78 Presupuesto Presupuesto	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	180 mA to 220 mA	7.5 V		26 GHz	13 dB	28 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH15F CML Micro 10: ₡75 191,64 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-PH15F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH15F	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	100En existencias	₡75 191,64 ₡75 092,75 Ver Presupuesto	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	150 mA to 190 mA	7.5 V		28 GHz	12 dB	28 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices MWT-LN600 CML Micro 10: ₡16 889,10 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-LN600 N.º de artículo de Mouser 938-MWT-LN600	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	100En existencias	₡16 889,10 ₡16 498,75 ₡15 811,74	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	175 mA	4.5 V		26 GHz	8 dB, 11 dB	20 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET MWT-773 CML Micro 1: ₡30 004,83 98En existencias	N.º de artículo del Fabricante MWT-773 N.º de artículo de Mouser 938-MWT-773	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	98En existencias	Cinta cortada ₡30 004,83 ₡28 157,18 ₡27 798,06 ₡27 787,65 Envase tipo carrete ₡26 975,72 Ver ₡26 970,52 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 100	GaAs	26 mA		173 Ohms	26 GHz	11 dB	20 dBm	+ 150 C		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices MWT-LN300 CML Micro 1 000: ₡33 830,25 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	N.º de artículo del Fabricante MWT-LN300 N.º de artículo de Mouser 938-MWT-LN300	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	Cinta cortada ₡33 830,25	Min.: 1 000 Mult.: 10 : 10	GaAs	120 mA	4 V		26 GHz	10 dB, 13 dB	16 dBm	+ 150 C	Die	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH7F CML Micro 10: ₡29 354,25 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	N.º de artículo del Fabricante MWT-PH7F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH7F	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	₡29 354,25	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	60 mA to 80 mA	6.5 V		28 GHz	15 dB	23 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications MWT-1F CML Micro 10: ₡42 615,71 Plazo de entrega 27 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante MWT-1F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-1F NRND	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	Plazo de entrega 27 Semanas	₡42 615,71	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	220 mA			12 GHz	10 dB	26 dBm	+ 150 C	Die	Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications MWT-7F CML Micro 10: ₡31 498,57 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante MWT-7F N.º de artículo de Mouser 938-MWT-7F NRND	CML Micro	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Obtenga más información sobre CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas	₡31 498,57 ₡29 546,82	Min.: 10 Mult.: 10	GaAs	85 mA			26 GHz	15 dB	21 dBm	+ 150 C	Die	Bulk

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