Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V N CH T1 890mA 0.3
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780 mA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
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1 Channel
20 V
780 mA
380 mOhms
6 V
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