MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R004M2HXUMA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
IXTX400N20X4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
IAUCN04S7N010GATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
MASW-011249
MACOM
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937-MASW-011249
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MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS
4SMF24CA-M3/I
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78-4SMF24CA-M3/I
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS
4SMF28CA-M3/I
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78-4SMF28CA-M3/I
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS
6 832 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
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78-SQJ858AEP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
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78-SQM40022EM_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS
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DTHP60B07PT
Diodes Incorporated
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621-DTHP60B07PT
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Diodes Incorporated
Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS
4SMF10CA-M3/I
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78-4SMF10CA-M3/I
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Vishay Semiconductors
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS
6 948 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
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78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2 289 En existencias
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Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
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579-SM120XM31RTBL3NG
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Microchip Technology
Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
3 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
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1 268 En existencias
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78-SQJ461EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1 268 En existencias
3 000 Se espera el 6/8/2026
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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
AFGB30T65RQDN
onsemi
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863-AFGB30T65RQDN
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onsemi
IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
NVTFS5C453NLETAG
onsemi
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N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
1 040 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQM120P06-07L_NE3
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
541 En existencias
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₡770,29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
361 En existencias
10 000 En pedido
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1 759 En existencias
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R007M2HXKS
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
6 En existencias
480 En pedido
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Rectificadores RECT 400V 150A CHS ULTRA FST
VS-150EBU04-N4
Vishay
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78-VS-150EBU04-N4
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Rectificadores RECT 400V 150A CHS ULTRA FST
924 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
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25-IS15M2R5S1T-100B
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iDEAL Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
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