Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
YSF-272+
Mini-Circuits
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₡2 217,18
57 En existencias
500 Se espera el 23/11/2026
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139-YSF-272+
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Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50?
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Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
GRF5226
Guerrilla RF
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Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
B11G2327N71DYZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
BGAP2D20AE6327XTSA1
Infineon Technologies
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Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
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Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE
BGAP2S20AE6327XTSA1
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Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
BGA9H1BN6E6327XTSA1
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726-BGA9H1BN6E6327XT
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Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
BLM9D2327S-50PBGY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
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Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
QPA9807TR13
Qorvo
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772-QPA9807TR13
Qorvo
Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
BLM9D2327-26BZ
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419 Se espera el 21/12/2026
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94-BLM9D2327-26BZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
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Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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PE53111A-Z
pSemi
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81-PE53111A-Z
pSemi
Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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PE53211A-Z
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81-PE53211A-Z
pSemi
Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
B10G2327N55DZ
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94-B10G2327N55DZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
B11G2327N71DX
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1 500:
₡27 032,97
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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94-B11G2327N71DX
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
BLM9D2327-26BX
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2 000:
₡10 940,18
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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94-BLM9D2327-26BX
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
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Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
BGB 707L7ESD E6327
Infineon Technologies
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Plazo de entrega 12 Semanas
Fin de vida útil
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726-BGB707L7ESDE6327
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
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