2.3 GHz to 2.7 GHz Semiconductores

Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50? 57En existencias
500Se espera el 23/11/2026
Cinta cortada
₡2 217,18
₡2 133,91
₡2 050,63
₡1 868,47
Envase tipo carrete
₡1 868,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 500
Guerrilla RF Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz 1 452En existencias
Cinta cortada
₡3 278,93
₡2 513,85
₡2 321,28
₡2 113,09
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Envase tipo carrete
₡1 899,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 303En existencias
Cinta cortada
₡36 281,64
₡30 056,88
₡28 542,32
₡28 386,18
Envase tipo carrete
₡27 032,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 300
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1 995En existencias
Cinta cortada
₡3 008,29
₡2 295,25
₡2 113,09
₡1 915,31
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Envase tipo carrete
₡1 743,56
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1 873En existencias
Cinta cortada
₡2 987,47
₡2 425,37
₡2 264,02
₡2 066,25
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Envase tipo carrete
₡1 727,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ 12 326En existencias
Cinta cortada
₡286,26
₡230,57
₡211,31
₡188,41
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Envase tipo carrete
₡148,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 12 000
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP 90En existencias
Cinta cortada
₡31 337,22
₡27 485,78
₡26 153,39
Envase tipo carrete
₡25 112,46
₡24 133,98
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Min.: 1
Mult.: 1
: 100
Qorvo Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
2 500Se espera el 24/12/2026
Cinta cortada
₡4 189,75
₡3 226,89
₡2 987,47
₡2 727,24
₡2 539,87
Envase tipo carrete
₡2 534,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
419Se espera el 21/12/2026
Cinta cortada
₡15 437,00
₡13 485,26
₡12 803,45
₡11 877,02
₡11 195,21
Envase tipo carrete
₡10 940,18
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

pSemi Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz No en existencias
Envase tipo carrete
₡3 419,46
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

pSemi Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz No en existencias
Envase tipo carrete
₡3 929,51
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Envase tipo carrete
₡11 304,51
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Envase tipo carrete
₡27 032,97
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Envase tipo carrete
₡10 940,18
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Infineon Technologies Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS Plazo de entrega 12 Semanas
Cinta cortada
₡562,10
₡400,76
₡361,20
₡317,48
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Envase tipo carrete
₡256,59
Min.: 1
Mult.: 1
: 7 500