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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 1 938En existencias
432 000En pedido
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Máx.: 9 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K 193En existencias
18 000Se espera el 28/5/2027
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K 2 506En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K 1 334En existencias
81 000En pedido
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K 124En existencias
9 000Se espera el 30/4/2027
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 3K 3 428En existencias
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323 T&R 3K 258En existencias
15 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC 17 258En existencias
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Máx.: 910
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC 12 165En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC 2 029En existencias
99 000En pedido
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Máx.: 3 900
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.35W 28V 1.6A 5 957En existencias
6 000Se espera el 4/9/2026
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 17 483En existencias
20 000Se espera el 29/1/2027
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Máx.: 1 880
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p 18 243En existencias
63 000Se espera el 18/8/2027
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 274En existencias
39 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 8 576En existencias
Min.: 1
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: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 9 897En existencias
10 000Se espera el 28/8/2026
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Máx.: 1 540
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 608En existencias
18 000En pedido
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K 108En existencias
6 000Se espera el 12/3/2027
Min.: 1
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 28 130En existencias
30 000Se espera el 13/8/2027
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Máx.: 10 000
: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K 9 259En existencias
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: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K 24 648En existencias
12 000Se espera el 20/12/2027
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SINGLE P-CHANNEL 2 013En existencias
27 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH MOSFET 264En existencias
3 000Se espera el 21/8/2026
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Máx.: 710
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K 5 314En existencias
20 000Se espera el 11/6/2027
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Máx.: 1 250
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K 4 416En existencias
42 000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000