TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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315En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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4 080En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 900

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23 439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
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512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
438En existencias
600Se espera el 8/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
Hoja de datos
886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
5 113En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
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7 662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7 798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1 148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1 360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
Hoja de datos
2 918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
Hoja de datos
1 475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
1 158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
Hoja de datos
1 256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
Hoja de datos
1 907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2 423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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5 930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 656En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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893En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1 112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1