TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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940En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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23 247En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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308En existencias
1 200En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2 356En existencias
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Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
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2 918En existencias
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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886En existencias
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
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512En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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5 921En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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865En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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639En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
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4 517En existencias
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onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 30A 450V 250W NPN
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6 873En existencias
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Máx.: 30

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1 098En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
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244En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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3 458En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1 034En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
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827En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
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7 650En existencias
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Máx.: 450


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1 138En existencias
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IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1 352En existencias
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1 403En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1 472En existencias
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IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
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1 050En existencias
30Se espera el 29/9/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
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1 256En existencias
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