TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
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654En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
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310En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 30 Amp 800 Volt
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793En existencias
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 200 Volt
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892En existencias
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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258En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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292En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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178En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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483En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS IXGQ85N33PCD1
IXYS IGBTs 340 Amps 330V
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
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248En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds
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94En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
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10En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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789En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
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268En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V
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257En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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286En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds
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287En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
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224En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS
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263En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64 Amps 250V 0.049 Rds
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300En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
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819En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Rectificadores 80ns 30A 600V High E ff Recovery Rect
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1 137En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 30 Amp 1200 Volt
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688En existencias
600Se espera el 21/7/2026
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SCRs Through Hole TO-3P-3