Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación OVER CURRENT PROTECTION
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 5.2A
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Circuitos integrados de interruptor analógico SPDT 1pC; 100pA TSOP-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3483CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQ3419AEEV-T1_BE3
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Puertas lógicas 74LVC1G11GV-Q100/SOT457/SC-74
74LVC1G11GV-Q100H
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Puertas lógicas 74LVC1G11GV-Q100/SOT457/SC-74
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
PBSS4140DPNF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
PMBT2907AYSX
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A
SI3407DV-T1-BE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)
SQ3481EV-T1_BE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
SI3443CDV-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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SQ3456CEV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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Controladores de puertas SECONDARY SIDE SYNCHRONOUS RECTIFICATION DRIVER FOR HIGH EFFICIENCY SMPS TOPOLOGIES
NCP4307AASNT1G
onsemi
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863-NCP4307AASNT1G
onsemi
Controladores de puertas SECONDARY SIDE SYNCHRONOUS RECTIFICATION DRIVER FOR HIGH EFFICIENCY SMPS TOPOLOGIES
2 576 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL211SPH6327XTSA1
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726-BSL211SPH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL316C H6327
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
45 074 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
Inversores 74LVC2G04GV-Q100/SOT457/SC-74
74LVC2G04GV-Q100H
Nexperia
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771-74LVC2G04GVQ100H
Nexperia
Inversores 74LVC2G04GV-Q100/SOT457/SC-74
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Carrete :
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