RJK065 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 35A 6.7mohm LFPAK56
Hoja de datos
7 797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT LFPAK-5 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 35 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 25A 14mohm LFPAK56
Hoja de datos
165 077En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT LFPAK-5 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 40A 5.6mohm LFPAK56
Hoja de datos
8 160En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT LFPAK-5 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 40 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel