Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
TSAD20H120H
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821-TSAD20H120H
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Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
3 148 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
TSAD10H100H
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
3 150 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
TSAD10M45CH
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821-TSAD10M45CH
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
3 150 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L23ATMA3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
56 148 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
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STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9 415 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
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511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5 567 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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SSM6J808R,LF
Toshiba
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757-SSM6J808RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
24 397 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26 372 En existencias
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25 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
201 463 En existencias
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₡97,33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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130 679 En existencias
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78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130 679 En existencias
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9 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181 173 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
171 334 En existencias
Embalaje alternativo
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
29 085 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
30 060 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26 289 En existencias
1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser
78-SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
92 364 En existencias
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10
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24 000
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser
78-SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
436 169 En existencias
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7 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
NRVB460MFST1G
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser
863-NRVB460MFST1G
onsemi
Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
85 011 En existencias
Embalaje alternativo
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₡150,41
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Carrete :
1 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
PMEG060V100EPE-QZ
Nexperia
1:
₡645,38
16 584 En existencias
45 000 Se espera el 29/3/2027
N.º de artículo de Mouser
771-PMEG060V100EPEQZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
16 584 En existencias
45 000 Se espera el 29/3/2027
1
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5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
₡2 310,87
41 001 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
41 001 En existencias
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₡765,08
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡478,83
138 084 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
138 084 En existencias
1
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6 000
₡105,65
9 000
₡97,33
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡556,90
140 065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
140 065 En existencias
Embalaje alternativo
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₡133,76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles