BSS138 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 15
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
Hoja de datos
1 104 166En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 N-CH LOGIC
Hoja de datos
680 691En existencias
525 000Se espera el 4/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300mW 50V DSS
Hoja de datos
987 497En existencias
378 000Se espera el 5/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
Hoja de datos
2 794En existencias
684 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 080
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA
Hoja de datos
1En existencias
72 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
59 943En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
53En existencias
36 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
631En existencias
40 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
19 706En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
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44 338En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
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620 518En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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640 945En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 50V
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26 430En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
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247 992En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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3En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel