MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R024M1HXKSA1
Infineon Technologies
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
2 kV
89 A
33 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
137 nC
- 55 C
+ 150 C
576 W
Enhancement
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
2 kV
48 A
64 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
348 W
Enhancement
CoolSIC
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TO-247-4
1 Channel
2 kV
34 A
98 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
267 W
Enhancement
CoolSIC
MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R012M1HXKSA1
Infineon Technologies
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5 187 Se espera el 2/9/2027
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
2 kV
123 A
16.5 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
246 nC
- 55 C
+ 150 C
552 W
Enhancement
CoolSIC
MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R100M1HXKSA1
Infineon Technologies
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₡9 810,77
3 859 Se espera el 26/8/2027
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MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
3 859 Se espera el 26/8/2027
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Min.: 1
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
2 kV
26 A
131 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
217 W
Enhancement
CoolSIC