N-Channel Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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3 010En existencias
6 000Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
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: 6 000
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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33En existencias
61En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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2 552En existencias
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Min.: 1
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: 5 000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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3 572En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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5 248En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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7 443En existencias
5 000Se espera el 22/4/2027
Min.: 1
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: 5 000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2 026En existencias
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Máx.: 3 000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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690En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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352En existencias
10 000Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
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: 5 000
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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5 950En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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4 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2 065En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
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3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2 065En existencias
Min.: 1
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Máx.: 300
: 3 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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828En existencias
Min.: 1
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Máx.: 150
: 1 500

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
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50En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
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4 150En existencias
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: 5 000
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3 454En existencias
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Máx.: 480

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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13 803En existencias
Min.: 1
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: 5 000


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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2 234En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
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867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
: 800


onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
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775En existencias
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Mult.: 1
Máx.: 30

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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17 788En existencias
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Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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544 336En existencias
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Mult.: 1
: 3 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7 203En existencias
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Mult.: 1
Máx.: 50