Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 32

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V

AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: ₡17 170,15
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡17 170,15

₡13 797,54

₡12 876,31

₡12 631,70

Ver

Envase tipo carrete

₡11 580,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V

MRF1518NT1
NXP Semiconductors
1: ₡7 713,30
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1518NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1518NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡7 713,30

₡5 053,72

₡4 288,63

₡3 986,76

Ver

Envase tipo carrete

₡2 987,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

N-Channel

4 A

40 V

520 MHz

13 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V

MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
1: ₡382 802,30
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V12250HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡382 802,30

₡362 571,81

Envase tipo carrete

₡362 571,81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.215 GHz

20.3 dB

275 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V

MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
1: ₡507 656,75
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V12500HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡507 656,75

Envase tipo carrete

₡507 656,75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

110 V

1.215 MHz to 960 MHz

19.7 dB

500 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780H-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1: ₡263 204,56
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡263 204,56

Envase tipo carrete

₡263 204,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

2 A

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: ₡169 427,10
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡169 427,10

₡145 943,70

₡140 083,26

₡132 182,60

Envase tipo carrete

₡132 182,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V

MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
1: ₡502 379,23
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6VP121KHR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

₡502 379,23

Envase tipo carrete

₡502 379,23

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

110 V

20 dB

1 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230-4

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
17.7 dB
18.5 dB
19.1 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.3 dB
20.4 dB
20.9 dB
21.1 dB
23 dB
23.7 dB
24 dB
24.4 dB

2 W
4.9 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
14 W
28.8 dBm
32 W
33 W
70 W
100 W
115 W
275 W
300 W
330 W
500 W
600 W
1 kW
1.25 kW

DFN-16
HVSON-16
NI-1230
NI-1230-4
NI-1230H-4
NI-1230H-4S
NI-780
NI-780-4
NI-780H-2
OM-1230-4
OM-780-4
PLD-1.5
PLD-1.5W
PQFN-24
SOT-89-3
TO-220-3
TO-247-3
TO-270
TO-270-2
TO-270-WB-4